film growth processとは 意味・読み方・使い方

To prevent the abnormal growth of a film generated in a film formation process after plasma treatment for improving an adhesion with a foundation film.例文帳に追加

下地膜との密着性を上げるためのプラズマ処理後に行われる成膜過程において発生する膜の異常成長を防止する。 - 特許庁

Subsequently, a Ta film 111 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the film 110, a Cu film 112 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the Ta film 111, and then a Cu film 113 is deposited by electroplating on a surface of the Cu film 112.例文帳に追加

次にＴｉＮ膜１１０表面に物理的気層成長法によりＴａ膜１１１を堆積し、次にＴａ膜１１１表面に物理的気層成長法によりＣｕ膜１１２を堆積した後に、電解メッキ法によりＣｕ膜１１２の表面にＣｕ１１３膜を堆積する。 - 特許庁

In a growth method of a nitride semiconductor thin film, TMG (trimethyl gallium) or TEG (triethyl gallium) is supplied to a terrace 202 formed in a restricted region 102 by a step-flow growth (a first growth process) of a GaN substrate 101 having a mis-cutting, wherein a supply amount of the TMG or TEG is larger than that in the first growth process.例文帳に追加

ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも大きな供給量でTMG又はTEGを供給する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element which can obtain a flat film in an earlier stage of a growth process than before, in a method of manufacturing a semiconductor light-emitting apparatus including a process of forming a semiconductor layer using a lateral growth method after arranging a mask for selective growth on a substrate for growth.例文帳に追加

成長用基板上に選択成長用のマスクを配した後、横方向成長法を用いて半導体層を形成する工程を含む半導体発光装置の製造方法において、従来よりも成長過程の早い段階で平坦な膜を得ることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an in-situ growth method of a polycrystalline thin film permitting the growth of a polycrystalline Si thin film without a separate post-annealing process and dehydrogenation process by using a catalytic chemical vapor deposition apparatus.例文帳に追加

触媒化学気相蒸着装置を利用して別途の後熱処理工程及び脱水素工程なしにも多結晶質Ｓｉ薄膜の成長が可能になるようにした多結晶質薄膜のインサイチュー成長方法を提供する。 - 特許庁

It is also preferred that a baking temperature in the Al baking process is set higher than a growth temperature in the growth process of the silicon nitride film, and a temperature at which the after-baking process is conducted.例文帳に追加

また本発明においては、Ａｌ焼成工程における焼成温度が窒化シリコン膜の成長工程における成長温度および該後焼成工程の温度よりも高く設定されることが好ましい。 - 特許庁

Alternatively, a silicon carbide substrate preliminarily subjected to a CMP process and a process of forming a silicon carbide film by epitaxial growth can be used as the seed crystal 1.例文帳に追加

また、予めＣＭＰ処理及びエピタキシャル成長による炭化珪素皮膜を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用してもよい。 - 特許庁

It is preferred that an after-baking process is set up after the growth process of the silicon nitride film.例文帳に追加

本発明においては、窒化シリコン膜の成長工程の後、さらに後焼成工程が設けられることが好ましい。 - 特許庁