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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 英和専門語辞典 > flash factorの意味・解説 

flash factorとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 フラッシュファクター


クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「flash factor」の意味

flash factor

フラッシュファクター

「flash factor」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12



例文

The correction factor k1_i is multiplied by the correction factor k2_i so that a correction factor k_i of each heater element can be calculated and stored in a flash memory 46.例文帳に追加

補正係数k1_i に補正係数k2_i を乗算して各発熱素子毎の補正係数k_i が算出され、フラッシュメモリ46に記憶される。 - 特許庁

To perform flash photography suitable for various conditions such as differences in distance to a subject and a reflection factor.例文帳に追加

被写体との距離や反射率の違いなどの様々な条件に対して適正なストロボ撮影を可能とする技術の実現。 - 特許庁

In printing, the correction factor k_i is read out from the flash memory 46 so that image data in a frame memory 34 can be corrected.例文帳に追加

プリントの際には、補正係数k_i がフラッシュメモリ46から読み出されてフレームメモリ34の画像データが補正される。 - 特許庁

The passive adapters have the CompactFlash form factor and a smaller connector fitting smaller flash cards.例文帳に追加

受動アダプタは、コンパクトフラッシュの形状因子及び小型フラッシュカードに適合する小型コネクタを有する。 - 特許庁

The temperature sensor is composed of a label 131 which is stuck on the surface of the flash memory 120 and varies in reflection factor with the temperature and an optical sensor 121 which decides the reflection factor of the label 131.例文帳に追加

温度センサは、フラッシュメモリ120の表面に貼付された、温度に応じて反射率が変化するラベル131と、ラベル131の反射率を判別する光センサ121とから構成されている。 - 特許庁

The change in the scale factor is received with the graph displayed on the LCD (S104), and the image data are compressed by using the quantization characteristic value decided by the changed scale factor to generate encoded image data, and the encoded image data are stored in a flash memory (S105).例文帳に追加

グラフをLCDに表示した状態でスケールファクタの変更を受け付け(S104)、変更されたスケールファクタによって決まる量子化特性値を用いて画像データを圧縮して符号化画像データを生成しフラッシュメモリに格納する(S105)。 - 特許庁

例文

A method of performing operations on a flash memory device is used when a gate coupling factor between the floating gate and a control gate is lower than 0.4.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子上で動作を行う方法であって、浮遊ゲートと制御ゲートの間にゲート結合率が0.4未満である場合に用いられる。 - 特許庁

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「flash factor」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 12



例文

To improve the utilization factor of a battery by preventing the voltage drop of the battery when a light emitting element such as a light emitting diode emits light if the light emitting element such as the light emitting diode is used as a flash light source.例文帳に追加

発光ダイオード等の発光素子をフラッシュ光源とする場合に、発光素子の発光時に電池の電圧降下を防止し、電池の利用率を向上させる。 - 特許庁

Though a flash of inspiration is an important factor in innovation, the great 19th Century inventor Thomas Edison is quoted as sayinggenius is 1 percent inspiration and 99 percent perspiration.”例文帳に追加

イノベーションにおいてアイディアをひらめくことは重要であるが、19世紀の発明王エジソンは、「発明(天才)は、1%のひらめきと99%の努力(Geniusis1percentinspirationand99percentperspiration.)」と述べた。 - 経済産業省

In the event of a "flash" signal or strong arterial blood flow signal, a small weighting factor is chosen to reduce the extent of temporal persistence via feedback of the averaged value for the prior frames so that the effect of the "flash" or strong flow signal quickly dissipates during the imaging of subsequent frames, and good temporal resolution is preserved for the current frames.例文帳に追加

“フラッシュ”信号又は強い動脈血の流れの信号の場合、小さい重み係数が選択され、前のフレームの間の平均値のフィードバックによって時間持続性の範囲を減少し、その結果、“フラッシュ”信号又は強い流れの信号の効果がその後のフレームのイメージング中に迅速に消散し、現フレームの間良好な時間解像度が保存される。 - 特許庁

S2μcom 102 computes light emitting guide number for actual flashing based on the distance from the external flash light device 100 to the object which is computed based on outputs of the distance measuring circuit 116 and an F value and the correction factor transmitted by radio communication from the camera 200.例文帳に追加

S2μcom102は、測距回路116の出力に基づいて算出される外付けストロボ装置100から被写体までの距離と、カメラ200からの無線通信によって送信される絞り値及び補正係数とから本発光時の発光ガイドナンバーを算出する。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing a semiconductor memory element such as a NAND flash memory element for removing any factor disturbing the high charge transmission of metallic wiring, and for preventing the damage of the surface of metallic wiring, and for achieving the high speed operation of a semiconductor memory element.例文帳に追加

金属配線の速い電荷伝達を妨げる要因を除去し、また、金属配線の表面の損傷を防止し、半導体メモリ素子の高速動作を実現することができるNANDフラッシュメモリ素子等の半導体メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

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