forbidden energyとは 意味・読み方・使い方

While a flat band voltage for flattening both energy bands is applied between the n-type semiconductor layer and p-type semiconductor, the forbidden band of the n-type semiconductor layer and forbidden band of the p-type semiconductor layer are partially overlapped.例文帳に追加

ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に、両者のエネルギバンドがフラットになるフラットバンド電圧を印加した状態で、ｎ型半導体層の禁制帯とｐ型半導体層の禁制帯とが部分的に重なる。 - 特許庁

A method for measuring the fluorescence comprises the step of measuring a defective fluorescence present from a defect level of a surface site mainly having an energy level existing in a forbidden band of the energy level in the semiconductor nanoparticles.例文帳に追加

半導体ナノ粒子内部のエネルギーレベルの禁制帯内に存在するエネルギーレベルを持つ主に表面サイトの欠陥準位から現れる欠陥蛍光を測定する。 - 特許庁

A multiphoton excitation type polarized electron beam generator has the cathode comprising the compound semiconductor, and a laser source for irradiating the cathode, and the wavelength of a laser beam is set from half to below the energy spread of a forbidden band of the compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体で構成される陰極と、その陰極を照射するレーザ光源を持ち、そのレーザ光の波長が前記化合物半導体の禁止帯のエネルギー幅の０.５倍以上で１.０倍未満に設定されている。 - 特許庁

Each electron confinement well layer is formed between the electron confinement barrier layers, and forbidden bandwidth energy of each electron confinement well layer sequentially increases from the second cladding layer 105 to the active layer 103.例文帳に追加

各電子閉じ込めウェル層は、それぞれ電子閉じ込めバリア層の間に形成され、各電子閉じ込めウェル層の禁制帯幅エネルギーは、第２クラッド層１０５側から活性層１０３側に向かって順次増大している。 - 特許庁

The solar cell having a film, comprising the composition, as a light absorber layer, realizes a remarkably high energy conversion efficiency because of its suitability to a forbidden band width of a solar spectrum (approximately 1.5 eV), without the necessity of using rare elements.例文帳に追加

この組成からなる薄膜を光吸収層として有する太陽電池は、希少元素を使用しなくても、太陽光スペクトル（約１．５ｅＶ）の禁制帯幅に適合できるから、極めて高いエネルギー変換効率を実現できる。 - 特許庁

A means is employed in the photovoltaic element where an intermediate layer having an energy intermediate level is provided between a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer to realize that the energy intermediate level exists in the forbidden band equal to or lesser than the Fermi level.例文帳に追加

ｐ型半導体層とｎ型半導体層との間にエネルギ中間準位を有する中間層を設けた光起電力素子において、前記エネルギ中間準位は、フェルミ準位以下の禁制帯に存在する、という手段を採用する。 - 特許庁

When a source 103 and a drain 104 larger than a micro wire region 105 made of a semiconductor are connected with both ends of the wire region 105 which is minute enough to cause a quantum size effect, the forbidden band of the wire region 105 serves as an energy band for electrons present in the source 103.例文帳に追加

量子サイズ効果が生じるような微小な細線部１０５の両端に、半導体よりなる細線部１０５より大きなソース１０３及びドレイン１０４が接続された状態とすると、ソース１０３に存在する電子にとって、細線部１０５の禁制帯はエネルギーバリアとなる。 - 特許庁