formation rateとは 意味・読み方・使い方

If the difference between the scan rate of the image formation mode before switched and the scan rate of the image formation mode after switched is smaller than the set value, the image formation is immediately started without carrying out the adjustment to laser beams.例文帳に追加

切換前の画像形成モードの走査速度と切換後の画像形成モードの走査速度との差が上記設定値未満であれば、レーザビームに対する調整を実行せずに、画像形成を直ちに開始する。 - 特許庁

In this method, immediately after the start of film formation, the Al_2O_3 film material is supplied more than the HfO_2 film material so that the ratio of the Al_2O_3 film formation rate to the HfO_2 film formation rate is approximately 3:7.例文帳に追加

成膜開始直後には、Ａｌ_２Ｏ_３膜の原料を多めに供給すると共に、ＨｆＯ_２膜の原料を少なめに供給することにより、Ａｌ_２Ｏ_３膜、ＨｆＯ_２膜の形成速度の比を３：７程度にする。 - 特許庁

Based on a film formation rate prediction formula acquired beforehand and an apparatus parameter acquired during film formation processing previously performed, a predicted value of the film formation rate is calculated.例文帳に追加

予め取得された成膜レート予測式と、先に実施された成膜処理中に取得された装置パラメータとに基づいて、成膜レート予測値が算出される。 - 特許庁

To provide a thin film formation method which enables a thin film of good film quality to be formed at a high speed film formation rate by plasma CVD method.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法により、膜質の良好な薄膜を高い成膜速度で形成することを可能とする薄膜形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a film formation method and a film formation apparatus where a film deposition rate is high, and a film of high quality can be deposited at a desired thickness.例文帳に追加

成膜速度が大きく、高品質な膜を所望の厚さで形成することができる成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide an MBE device or the like that can maintain a constant film-formation rate regardless of a film-formation time.例文帳に追加

成膜時間に関係なく一定の成膜レートを維持することのできるＭＢＥ装置等を提供する。 - 特許庁

To provide a filtered cathodic arc device which is a film formation device in which the reduction of particles and a high film formation rate are made compatible.例文帳に追加

フィルタードカソーディックアーク装置において、パーティクル粒子の低減と高い成膜レートを両立させた成膜装置を提供すること。 - 特許庁

Using a thin film formation method, the ZnO-based thin film is formed at a film formation rate of 10 nm/min or less.例文帳に追加

薄膜形成方法を用いて、１０ｎｍ／ｍｉｎ以下の成膜レートでＺｎＯ系薄膜を形成する。 - 特許庁