forward gate voltageとは 意味・読み方・使い方

In an ON state, no high voltage is applied to the gate electrode 15 because the potential from the base 5 to the emitter 7 is forward and the potential between the base 5 and the gate electrode 15 is same.例文帳に追加

オン時にはベース５、エミッタ７間が順方向電圧になり、ベース５とゲート電極１５が同電位にされているので、ゲート電極１５には高電圧は印加されない。 - 特許庁

To provide a J-FET which has an embedded gate structure and in which a forward rise voltage of a gate is high and leakage current is suppressed.例文帳に追加

埋め込みゲート構造を有するＪ−ＦＥＴにおいて、ゲートの順方向立ち上がり電圧が高く、リーク電流が抑制されたＪ−ＦＥＴを提供する。 - 特許庁

This constitution enables preventing of the occurrence of thermal break due to the switching loss of the FET for high voltage drive by reliably turning off the FET for high voltage drive as a result of a voltage difference between the gate sources of the FET for high voltage drive being checked by the forward voltage of the reflux diode.例文帳に追加

これにより、高電圧駆動用ＦＥＴのゲート−ソース間の電圧が還流ダイオードの順方向電圧に抑えられ、高電圧駆動用ＦＥＴが確実にオフして、高電圧駆動用ＦＥＴのスイッチング損失による熱破壊を防止することができる。 - 特許庁

Furthermore, this device has a forward bias voltage supply means (row bias circuit) 21, which supplies a forward bias voltage having a voltage value reducing an off-leak current from an unselected cell to the gate electrodes of the unselected memory transistors M12 and M22 among the memory transistors M11 to M22, in the direction of the forward bias to the channel formation region.例文帳に追加

読み出し時に、複数のメモリトランジスタＭ１１〜Ｍ２２のうち非選択のメモリトランジスタＭ１２，Ｍ２２のゲート電極に、チャネル形成領域に対し順バイアスとなる方向で、かつ、非選択セルからのオフリーク電流を低減する電圧値の順バイアス電圧を供給する順バイアス電圧供給手段（行バイアス回路）２１を有する。 - 特許庁

The diodes 34, 36 are provided between the voltage generating circuit 32 and a gate electrode of the transistor Q1, wherein a forward voltage step-down quantity decreases as a temperature rises.例文帳に追加

ダイオード３４，３６は、電圧発生回路３２とトランジスタＱ１のゲート電極との間に設けられ、温度が上昇するにつれて順方向の電圧降下量が減少する。 - 特許庁

The Vbo detecting circuits 6a-6n detect breakover voltage (Vbo) of the thyristors 1a-1n, by using the gate pulses 7 and the forward voltage detecting signals, and output Vbo detection signals 8a-8n.例文帳に追加

Ｖｂｏ検出回路６ａ〜６ｎは、ゲートパルス７と順電圧検出信号を用いてサイリスタ１ａ〜１ｎのブレークオーバ（Ｖｂｏ）を検出し、Ｖｂｏ検出信号８ａ〜８ｎを出力する。 - 特許庁

A voltage lower than the forward voltage of the temperature compensation diode 10 by the electromotive force of a cell 8 is applied between the gate and source of the JFET 2.例文帳に追加

そして、ＪＦＥＴ２のゲート−ソース間には、電池８の起電力分だけ、温度補償用ダイオード１０の順方向電圧よりも低い電圧が印加される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a junction type FET with a structure that has superior off characteristics, a wide range of a gate forward voltage, and a higher reverse breakdown voltage.例文帳に追加

オフ特性が優れ、ゲート順方向電圧の範囲が広く、かつ、逆方向ブレークダウン電圧を高くすることができる構造の接合型ＦＥＴを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁