grain boundary mobilityとは 意味・読み方・使い方

To provide a model for performing physical analysis on a grain boundary determining a mobility by applying a universal plot for Poly-Si TFT.例文帳に追加

Ｐｏｌｙ−Ｓｉ ＴＦＴについてユニバーサルプロットを適用し、移動度を決めている結晶粒界について物理解析するモデルを提供する。 - 特許庁

The grain boundary significantly contributes to an improved carrier mobility, resulting in a high-performance semiconductor device.例文帳に追加

この結晶粒界はキャリアの移動度向上に大きく寄与し、非常に高性能な半導体装置を実現する。 - 特許庁

The crystal formed as a result of crystallization has molecular orientation suitable for highest mobility direction, and obtains high performance electrical characteristics having high carrier mobility and low threshold voltage owing to no grain boundary and low trap density.例文帳に追加

結晶化の結果として形成された結晶は、最も高い移動性方向に適した分子配向を有し、粒界がないこと、及び低いトラップ密度により高いキャリア移動性及び低い閾値電圧を有する高性能電気的特性を得ることができる。 - 特許庁

A thin film transistor device can materialize high mobility TFT by introducing Ge into the polycrystalline Si film, and varying Ge composition ratio between a crystal grain 7 and a crystal grain boundary 8 by the phase separation accompanying the crystallization thereby suppressing the carrier scattering factors at the crystal grain boundary 8, and besides by suppressing the surface irregularity, making use of the volume difference of the crystals.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置は、多結晶Si薄膜中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内７と結晶粒界８との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界８におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device which uses a laser crystallizing method capable of preventing a grain boundary from being formed in a channel forming region of a TFT, preventing the mobility of a TFT from being markedly decreased by the grain boundary, and preventing a decrease in on-current and an increase in off-current, and to provide a semiconductor device formed by using the forming method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device using a laser crystallization process for preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current, or increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device employing a laser crystallization process capable of preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current and increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁