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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > JST科学技術用語日英対訳辞書 > grain-boundary resistivityの意味・解説 

grain-boundary resistivityとは

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主な意味粒界抵抗

JST科学技術用語日英対訳辞書での「grain-boundary resistivity」の意味

grain‐boundary resistivity



「grain-boundary resistivity」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 6



例文

The samarium - aluminum oxide phase produces a low resistivity layer along the grain boundary of aluminum nitride particles.例文帳に追加

このサマリウム−アルミニウム酸化物相は、窒化アルミニウム粒子の粒界に沿って低低抗層を生成する。 - 特許庁

Since the NiZn ferrite has high resistivity, the loss can be reduced without lowering the magnetic characteristics when compared by a conventional method for precipitating nonmagnetic oxide in the grain boundary of ferrite.例文帳に追加

NiZnフェライトは、比抵抗が高いので、従来のフェライトの結晶粒界に非磁性酸化物を析出させる方法よりも、磁気特性を低下させることなく損失を低減できる。 - 特許庁

Or the aluminum nitride ceramics have a grain boundary phase mainly comprising an aluminum nitride particle and a silicon nitride and ≤1×10^12 Ω.cm volume resistivity at room temperature.例文帳に追加

あるいは、窒化アルミニウム質セラミックスが、窒化アルミニウム粒子と、窒化ホウ素を主体とする粒界相とを有しており、粒界相が導電経路を構成しており、室温での体積抵抗率が1×101 2 Ω・cm以下である。 - 特許庁

The electrostatic chuck comprises a dielectric layer formed by aluminum nitride sintered compacts of which the volume resistivity at an application temperature is ≥1×10^8 Ωcm and ≤1×10^13 Ωcm, the grain boundary volume resistivity is ≤1/10^2 of transgranular volume resistivity, and the impurity is ≤3 atom% and a face-like electrode formed on one surface of the dielectric layer.例文帳に追加

使用温度における体積抵抗率が1×10^8Ωcm以上1×10^13Ωcm以下であり、結晶粒界体積抵抗率が、粒内体積抵抗率の1/10^2以下であり、不純物が3atom%以下の窒化アルミニウム焼結体で形成された誘電体層と、誘電体層の一方の面に形成された面状の電極とを有する静電チャックである。 - 特許庁

To provide a semiconductor ceramic composition having low ambient temperature resistivity of50 Ω cm and having excellent jump characteristics, in the semiconductor ceramic composition in which a part of Ba of BaTiO_3 is substituted by Bi-Na and which has a P-type semiconductor in the grain boundary.例文帳に追加

BaTiO_3のBaの一部がBi−Naで置換され、結晶粒界にP型半導体を有する半導体磁器組成物に関して、室温抵抗率が50Ω・cm以下と低く、且つジャンプ特性に優れた半導体磁器組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

例文

The aluminum nitride sintered compact having volume resistivity at normal temperature of10^9 to10^14Ω cm is obtained by incorporating an element of the lanthanide in an amount of 0.5 to 7 mass%, expressed in terms of its oxide, so as to form a compound oxide of the lanthanide element and aluminum on the grain boundary of aluminum nitride crystals.例文帳に追加

ランタノイド元素を酸化物換算の含有量で、0.5質量%以上、7質量%以下含有させて、窒化アルミニウム結晶の粒界にランタノイド元素とアルミニウムとの複合酸化物が形成され、常温での体積抵抗率が1×10^9〜1×10^14Ω・cmである窒化アルミニウム焼結体を得る。 - 特許庁

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クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「grain-boundary resistivity」の意味

grain-boundary resistivity

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