The energy distribution function variable section is disposed between the first electrode 21 and the second electrode 22 and has a grid electrode 23 and a moving mechanism 30 that moves the grid electrode 23 in the film deposition chamber 11.例文帳に追加

エネルギー分布関数可変部は、第１の電極２１と第２の電極２２との間に配置され、グリッド電極２３と、成膜室１１内においてグリッド電極２３を移動させる移動機構３０とを有している。 - 特許庁

A grid-like electrode body 10 is disposed to face a disk 9 (object to be treated) in a vacuum chamber 1.例文帳に追加

真空槽１内において、ディスク９（処理物）に対向して格子状の電極体１０を配置する。 - 特許庁

Plasma sheath controllers 41, 41' are arranged between the plasma chamber and the grid assembly 49.例文帳に追加

前記プラズマチャンバとグリッドアセンブリ４９との間にプラズマシース制御器４１及び４１‘が配置される。 - 特許庁

To provide a circuit breaker in which arc resistance is improved by reducing wear of a grid of a deion type arc extinguishing chamber due to arc.例文帳に追加

アークによるデアイオン式消弧室のグリッドの損耗を軽減してアーク耐量を向上させた回路遮断器を提供する。 - 特許庁

An inducer part 25 is attached to the rear side of a partition wall 11 provided with a communication hole 10 in a grid shape provided inside a main body case 2 and a dust collecting chamber 13, a straightening chamber 39 and a motor-driven blower chamber 15 are sectioned.例文帳に追加

本体ケース２内に設けた格子状の連通孔10を有した隔壁11の後側にインデューサ部25を取り付け、集塵室13、整流室39および電動送風機室15を区画する。 - 特許庁

An arc extinguishing chamber 10 of deion grid type is installed at a current cut-off part of a circuit breaker, and the arc extinguishing chamber 10 includes a grid which is arranged along the opening movement route of a movable contactor 3 and has a V-shape cut-out groove 12a formed in the center of the plate surface.例文帳に追加

回路遮断器の電流遮断部にデアイオングリッド式の消弧室１０を装備し、当該消弧室１０は可動接触子３の開極移動経路に沿って配列され、板面中央にＶ形切欠溝１２ａを形成したグリッド１２を備える。 - 特許庁

This box type cargo chamber structure of the van type vehicle has a metal grid 11 made of steel wire put together in a grid pattern mounted on interior wall faces 60, 70 of a box type cargo chamber 2 via a bracket 13 spaced from the wall faces 60, 70 and has cushioning 20 inserted between the metal grid 11 and the interior wall faces 60, 70.例文帳に追加

本発明に係るバン型車両の箱形荷室構造は、箱形荷室２の室内壁面６０、７０に、鉄線を格子状に組み合わせた金属製格子１１をブラケット１３を介して、壁面６０、７０から離間させて取り付け、かつ、金属製格子１１と室内壁面６０、７０との間に緩衝材２０を挿入した。 - 特許庁

In an ion implanter 10 in which ions are extracted from a plasma P formed in a vacuum chamber 1 via a grid electrode 6 and in which the ions are implanted into a substrate W, a voltage applying means to alternately supply positive ions and electrons in the plasma to the substrate via the grid electrode 6 is installed.例文帳に追加

真空チャンバ１内で形成したプラズマＰからグリッド電極６を介してイオンを引き出し、基板Ｗへ当該イオンを注入するイオン注入装置１０において、グリッド電極６を介してプラズマ中の正イオンと電子を基板へ交互に供給する電圧印加手段を設ける。 - 特許庁

The first suction area 51 is partitioned grid-likely by longitudinal ribs 41 and 42 and lateral ribs 43, and a bottom portion of each grid-like partitioned chamber 44 is made to serve as the first suction hole 45 communicated with a suction passage sucked by a suction fan 26a.例文帳に追加

第１吸引領域５１を縦リブ４１、４２および横リブ４３によって格子状に区画し、各格子状区画室４４の底部分を吸引ファン２６ａにより吸引される吸引通路に連通する第１吸引孔４５とする。 - 特許庁

A grid 100 is provided downward of the attachment position of the cylindrical electrode 215 in the treatment chamber 201 so as to cover the wafer 200 supported by the susceptor 217.例文帳に追加

処理室２０１内の筒状電極２１５の取付位置よりも下方に、サセプタ２１７に支持されるウェハ２００を覆うグリッド１００を設ける。 - 特許庁

A substrate where a trace 85 to be tested is stored is placed in a vacuum chamber 12 of a low pressure having grid electrodes 51 laid near the trace region 85 on each face of the substrate.例文帳に追加

テストされるトレース（８５）を収容する基板は、基板の各面上のトレース領域（８５）近くに横たわるグリッド電極（５１）を備える低圧力の真空チャンバ（１２）中に載置される。 - 特許庁

In the ion beam generator, thermal expansion coefficients α_P, α_M and α_G, for a sidewall (1A) of a discharge chamber, a mounting platform (40) and an extraction grid electrode assembly (20) are selected to have a relation: α_P>α_M≥α_G.例文帳に追加

放電チャンバの側壁（１Ａ）、取付けプラットホーム（４０）および抽出グリッド電極アセンブリ（２０）の熱膨張係数α_Ｐ、α_Ｍおよびα_Ｇが、α_Ｐ＞α_Ｍ≧α_Ｇの関係を有するように選択される。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing device, a shower plate used to supply gas into the chamber is provided with grid-shaped grooves having a width of 0.3-2 mm and a depth of ≥3 mm, and a plurality of gas blow-out ports are formed in the grooves.例文帳に追加

プラズマを使用する半導体製造装置における、ガスを供給するためのシャワープレートにおいて、幅０．３〜２ｍｍ、深さ３mm以上の格子状の溝を備え、この溝中に複数のガス噴出孔を形成する。 - 特許庁

Therefore, the electron 31 in a plasma chamber 9 moves to a process chamber 2 through the electron port 11 so as to be attracted to the positive electric charge of a base plate 12 without being affected by the electric potential of the grid 8b, and enters the base plate 12.例文帳に追加

そのため、プラズマチャンバ９内の電子３１は、グリッド８ｂの電位の影響を受けることなく基板１２の正電荷に引かれるように、エレクトロンポート１１を介してプロセスチャンバ２へと移動して基板１２に入射する。 - 特許庁

A mold releasing apparatus 70 has a vacuum chamber 72 for setting an assembly 71, electromagnets 82 for attracting a female mold 36b, strippers 83 for pressing a grid 24, and a supporting member 81 for supporting the electromagnets 82 and strippers 83.例文帳に追加

離型装置７０は、組立体７１をセットする真空チャンバ７２、下型３６ｂを吸着する電磁石８２、グリッド２４を押さえるストリッパ８３、および電磁石８２およびストリッパ８３を支持固定した支持部材８１を有する。 - 特許庁

A light transmissive window 3 is formed at an upper part of the sample chamber 1, light from a light irradiation section 20 is transmitted through the light transmissive window 3, is polarized by a wire grid polarizing element 10 provided between the light transmissive window 3 and the work stage and irradiates the optical alignment layer 31 on the work stage 32.例文帳に追加

試料室１の上部には、光透過窓３が設けられ、光照射部２０からの光は光透過膜３を透過し、光透過窓３とワークステージとの間に設けたワイヤーグリッド偏光素子１０により偏光され、ワークステージ３２上の光配向膜３１に照射される。 - 特許庁

The method for forming a transparent conductive film is characterized in that plasma charged particles leaked out from a grid installed between a target and a substrate are coupled with electrons released from the tip of a filament (electron gun) inserted from the side face of a vacuum sputtering chamber, thus the polarity of the particles is neutralized.例文帳に追加

ターゲットと基板間に設置したグリッドから漏れ出たプラズマ荷電粒子を、真空スパッタチャンバーの側面から挿引したフィラメント（電子銃）先端から放出される電子と結合させることで、粒子極性を中和させることを特徴とする透明導電膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Thereby, a fused material generated from a grid of an arc-extinguishing chamber and the respective contact points 7 and 8 in breaking of the circuit breaker is blocked by the protrusive shape part 14a, whereby the fused material is prevented from intruding between the holder 9 and the moving contact 5.例文帳に追加

これによって、回路遮断器の遮断時に消弧室のグリッド、各接点７，８などから発生する溶融物を突起形状部１４ａで遮蔽し、その溶融物がホルダ９と可動接触子５の間に入り込まなくなるようにする。 - 特許庁

The residual heat seawater downflow chambers store residual heat seawater S2 heated by a seawater residual heat apparatus 3 and include a plurality of water-permeable members 31 in a grid shape suspended to the seawater S1 of the residual heat seawater return chamber 6 via the space part K for causing the stored residual heat seawater S2 to flow down into the residual heat seawater return chamber 6.例文帳に追加

この余熱海水流下室は、海水余熱装置３で余熱した余熱海水Ｓ２を貯留するとともに、この貯留した余熱海水Ｓ２を余熱海水返送室６内に流下させるために、空間部Ｋを介して余熱海水返送室６の海水Ｓ１まで碁盤の目状に吊り下げられた複数の透水性部材３１を備えている。 - 特許庁

A vacuum dust removing device 17 constituting a third purification region comprises a transport pipe 18 with flow disturbing elements, a rotational sieve 19 having a grid of a mesh size suitable for suction of volatile impurities, a flow guide means 23 adjacent the sieve 19 for constituting a flow disturbing element, and a rotary chamber valve 20 positioned below the rotational sieve 19.例文帳に追加

第３の浄化領域を構成する真空塵埃除去装置１７は、流れ攪乱要素付き輸送パイプ１８と、揮発性不純物を吸引可能な網目の格子状構造体を有する回転式篩１９と、回転式篩に隣接して流れ攪乱要素を構成する流れ案内手段２３と、回転式篩下方の回転式チャンババルブ２０とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing device processing a substrate 3000 by impressing a gas with voltage for making the gas plasmatic, the particles positively charged in a processing chamber 2100 are trapped or induced by an electrode 15, a grid 13 and a cover 3600, etc., supplied with a negative a potential as soon as a cathode voltage supply is stopped so as to prevent the particles from arriving at the substrate 3000.例文帳に追加

ガスに電圧を印加してプラズマ化することで基板３０００を加工する半導体製造装置において、カソード電圧の停止した瞬間に処理室２１００内の正に帯電したパーティクルを負電位を与えた電極１５、グリッド１３、カバー３６００等によって、トラップまたは誘導するなどして、パーティクルが基板３０００上へ到達することをを防止する。 - 特許庁