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group uniformityとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 集団斉一性
「group uniformity」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 35件
The cellular composition contains a group composed of non-immortalized cardiac muscle cells with substantial uniformity.例文帳に追加
不死化していない心筋細胞の実質的に均一な集団を含む細胞組成物を提供する。 - 特許庁
One is uniformity in the art style of each ryugi and the other is existence of the group of people who actually preserve and carry on the style.発音を聞く 例文帳に追加
一はその芸系の同一性であり、一はこれを実質的に保存し受継いでゆくための集団としての存在である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The use of the radical initiator having a carbonyl group in the molecule makes it possible to sharply improve the reaction efficiency and reaction uniformity.例文帳に追加
分子内にカルボニル基を持つラジカル開始剤を用いることで、反応効率、及び反応均一性を大幅に向上させることが可能となる。 - 特許庁
To provide a group III nitride semiconductor light emitting element which has both improved light extraction efficiency and uniformity of light emission.例文帳に追加
光取り出し効率の向上と、発光の均一性を両立させたIII 族窒化物半導体発光素子の実現。 - 特許庁
To provide a face-up type group III nitride semiconductor light emitting element which is enhanced in uniformity of light emission and improved in light extraction efficiency.例文帳に追加
フェイスアップ型のIII 族窒化物半導体発光素子において、発光の均一性を高め、かつ光取り出し効率を向上させること。 - 特許庁
To provide a simple matrix type liquid crystal display device which can achieve the uniformity in a cell gap, even if a dummy electrode group is wired.例文帳に追加
ダミー電極群が配線されていてもセルギャップを均一にすることができる単純マトリクス型液晶表示素子を提供する。 - 特許庁
To provide a group III nitride semiconductor substrate for acquiring intra-surface heat uniformity when the substrate is heated, and for assuring easier treatment of the substrate.例文帳に追加
基板加熱時の面内均熱性を確保でき、基板の取り扱いが容易であるIII族窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁
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「group uniformity」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 35件
To provide a thermal head which is improved in the uniformity of the printing density of a heater in a main scanning direction, in a heater group arranged according to a drive IC.例文帳に追加
駆動ICに対応して設けられた各発熱部群において、主走査方向における各発熱部での印画濃度の均一性を向上させる。 - 特許庁
To provide a vapor deposition system being capable of improving the film-thickness uniformity of a grown crystal layer such as a GaN group and having a high yield.例文帳に追加
GaN系などの成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a compound-semiconductor thin-film containing a group IB element, In and Ga as group IIIB elements and a group VIB element and having the excellent uniformity of Ga distribution in the film-thickness direction.例文帳に追加
IB族元素と、IIIB族元素としてInおよびGaと、VIB族元素とを含み、その膜厚方向におけるGa分布の均一性が良好な化合物半導体薄膜を製造するための方法を提供する。 - 特許庁
Since inlet lengths for which trimethylaluminum gas travels after entry to a heating region in the processing chamber 32 till being jetted from the group of jets 59 and the group of jets 69 are long and are approximately equal to each other, the supply amount of trimethylaluminum gas is uniform above and below the boat 40 to enhance uniformity within a wafer surface formed on a wafer at 600°C and uniformity between wafers.例文帳に追加
トリメチルアルミニウムガスが処理室32内加熱領域に入ってから吹出口59群および吹出口69群から吹き出されるまでの助走距離が長く、かつ略等しいので、ボート40の上部と下部とでトリメチルアルミニウムガスの供給量が均一になり、600℃でウエハ上に形成されたウエハ面内均一性およびウエハ相互間均一性が高まる。 - 特許庁
To provide a pentacene compound having an alkyl group, for a material of organic semiconductor devices, hardly oxidizable, having no problem in material deterioration and giving coated films having no problem in uniformity.例文帳に追加
有機半導体デバイスの材料とするための、酸化されにくく、材料の劣化に問題がなく、また塗膜の均一性に問題のないアルキル基を有するペンタセン化合物を提供する。 - 特許庁
The polymer compound 42 is formed by polymerizing a compound having a methacrylate group and a biphenyl backbone, so that non-uniformity thereof is suppressed and alignment of the liquid crystal molecules 41 is regulated.例文帳に追加
高分子化合物42がメタクリレート基およびビフェニル骨格を有する化合物の重合により形成されるため、その不均一化が抑制されると共に、液晶分子41の配向を規制する。 - 特許庁
A semiconductor structure comprises: a silicon carbide wafer having a diameter of at least 100 mm; and a group III nitride heterostructure on the wafer, and exhibits high uniformity in many characteristics.例文帳に追加
半導体構造が開示され、この半導体構造は、少なくとも100mmの直径を有する炭化シリコンのウェハと、ウェハ上のIII族窒化物ヘテロ構造とを含んでおり、これは、多くの特性において、高い均一性を示す。 - 特許庁
To provide an unprecedented high quality and high uniformity group III-V nitride semiconductor substrate by eliminating the in-plane nonuniformity of the substrate characteristics; and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
基板特性の面内不均一をなくし、これまでにない高品質かつ高均一なIII−V族窒化物半導体基板およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
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