hetero substrateとは 意味・読み方・使い方

The device comprises a sequence of layers including at least one active layer and deposited epitaxially, a first metal contact layer formed on the back of the sequence of layers, a second metal contact layer formed on the front face of the hetero substrate, and a brazing layer generating electrical and mechanical contact between the first and second metal contact layers, wherein the hetero substrate is a silicon hetero substrate.例文帳に追加

少なくとも１つの活性層を含み、エピタキシャルに析出された多重層と、該多重層の裏側の上に形成された第１の金属コンタクト層と、ヘテロ基板の表側の上に形成された第２の金属コンタクト層と、第１の金属コンタクト層と第２の金属コンタクト層との間の電気的および機械的接触を生ずるろう層とを備え、ヘテロ基板はシリコンへテロ基板である。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor substrate, a process for changing stress of a hetero-epitaxial layer is performed on a support substrate comprising a structure where the hetero-epitaxial layer whose lattice constant differs from the support substrate, an insulating layer, and an Si layer are sequentially laminated for changing distortion of the Si layer.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、支持基板とは格子定数の異なるヘテロエピタキシャル層、絶縁層、Ｓｉ層が順に積層された構造を少なくとも含む支持基板に、前記Ｓｉ層の歪みを変化させるために、前記ヘテロエピタキシャル層の応力を変化させる工程を行なう。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor substrate includes a step of varying stress to a hetero-epitaxial layer to change the deformation of a Si layer on a support substrate at least containing a structure including the hetero-epitaxial layer with a different grating constant from that of the support substrate, a porous layer and the Si layer sequentially laminated.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、支持基板とは格子定数の異なるヘテロエピタキシャル層、多孔質層、Ｓｉ層が順に積層された構造を少なくとも含む支持基板に、前記Ｓｉ層の歪みを変化させるために、前記ヘテロエピタキシャル層の応力を変化させる工程を行なう。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a hetero structure substrate wherein a crystal defect layer is hardly generated in an epitaxial growth layer.例文帳に追加

エピタキシャル成長層に結晶欠陥層が生じにくい、ヘテロ構造基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

First and second double-hetero structures are formed on an n-type GaAs substrate 1 by a crystal growth process.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板１上には結晶成長工程で第１，第２のダブルへテロ構造が形成されている。 - 特許庁

The thin film single crystal material is obtained by hetero- epitaxially growing a single crystal on a substrate of a grain-oriented silicon steel sheet.例文帳に追加

方向性Ｓｉ鋼板基板上に単結晶をヘテロエピタキシャル成長してなる単結晶薄膜材料である。 - 特許庁

A GaN self-supporting 21 to be used as a seed crystal is produced by a HVPE method using a hetero substrate 1 comprising sapphire.例文帳に追加

サファイアから成る異種基板１を用いてＨＶＰＥ法により、種結晶となるＧａＮ自立基板２１を作製する。 - 特許庁

To provide a lateral hetero bipolar transistor that is formed on an SOI substrate, has a small amount of parasitic capacitance and resistance, and can be operated at high speed.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成されて寄生容量や寄生抵抗が小さく、高速動作が可能な横型のヘテロバイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁