homoepitaxial growthとは 意味・読み方・使い方

HOMOEPITAXIAL GROWTH METHOD, HOMOEPITAXIAL CRYSTAL STRUCTURE, HOMOEPITAXIAL CRYSTAL GROWTH APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ホモエピタキシャル成長方法、ホモエピタキシャル結晶構造、ホモエピタキシャル結晶成長装置および半導体装置 - 特許庁

HOMOEPITAXIAL CRYSTAL GROWTH APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ホモエピタキシャル結晶成長装置および半導体装置 - 特許庁

HOMOEPITAXIAL GROWTH OF SIC ON LOW OFF-AXIS SIC WAFER例文帳に追加

低オフアクシスＳｉＣウエハ上のＳｉＣのホモエピタキシャル成長 - 特許庁

To realize a homoepitaxial growth to a low off angular surface in a silicon carbide {0001} plane to enhance the performance of an electronic device or ideally substantially to an off-less surface, to reduce a surface defect density in the homoepitaxial growth layer, and to make as flat as possible, on the front surface of the homoepitaxial grown layer.例文帳に追加

電子デバイスの高性能化のために、炭化珪素｛０００１｝面において、低オフ角面、理想的には、ほぼオフ無し面へのホモエピタキシャル成長を実現すること、並びに前記のホモエピタキシャル成長層における表面欠陥密度を低減すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a high-quality SiC monocrystalline thin film by the homoepitaxial growth of a SiC monocrystal at a low growth temperature.例文帳に追加

低い成長温度でＳｉＣの単結晶をホモエピタキシャル成長させて高品質のＳｉＣ単結晶薄膜を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation apparatus which enables an improvement of a quality of a semiconductor wafer by reducing an amount of by-product falling onto a thin film during film formation by homoepitaxial growth.例文帳に追加

ホモエピタキシャル成長による成膜中における薄膜上への副生成物の落下量が減少して半導体ウエハの品質が向上する成膜装置を提供する。 - 特許庁

An α (hexagonal) silicon carbide mnocrystal wafer is characterised in that the off-angle from the (0001)c plane at a homoepitaxial growth surface having a surface roughness of 2 nm or less is 0.4 degrees or smaller.例文帳に追加

表面が表面粗さ２ｎｍ以下のホモエピタキシャル成長面で（０００１）ｃ面からのオフ角が０．４度以下であることを特徴とするα型（六方晶）炭化ケイ素単結晶ウェハ。 - 特許庁