infrared ray bakingとは 意味・読み方・使い方

This baking furnace 1 comprises an infrared ray lamp 5 for radiation-heating a baked object, a base 9 for loading the baked object, and an infrared ray transmitting member 7 disposed between the infrared ray lamp 5 and the base 9 to define a baking space S, and composed of the transparent quartz glass.例文帳に追加

焼成炉１は、被焼成物を輻射加熱するための赤外線ランプ５と、被焼成物が配置される台９と、赤外線ランプ５と台９との間に配置されて焼成空間Ｓを画成し、透明石英ガラスからなる赤外線透過部材７と、を備えている。 - 特許庁

A baking apparatus 1 for manufacturing a semiconductor device includes a near infrared ray heater 11 and a transfer belt 22.例文帳に追加

半導体装置製造用焼成装置１は、近赤外線ヒーター１１および搬送ベルト２２を備える。 - 特許庁

Both of the first and second baking devices 3, 4 have heating plates 11 coated with a far infrared ray material.例文帳に追加

第１および第２ベーキング装置３,４は、ともに遠赤外線材料が塗布された加熱板１１を有する。 - 特許庁

A ceramic layer 3 for radiating the far infrared ray is formed on one side of a foil-like metal plate 2 by baking or flame coating.例文帳に追加

箔状の金属板２の一方の面に遠赤外線を放射するセラミック層３を焼成又は溶射で形成する。 - 特許庁

To provide a microwave heating device capable of baking food in a state of being crispy on its surface and juicy inside while removing excess fat by heating the food by combining near infrared ray, far infrared ray and microwave, and preventing a surface of a heated object from being excessively browned.例文帳に追加

近赤外線と遠赤外線、マイクロ波を組み合わせて加熱することにより、食品の表面をカリッと、内部をジューシーに、余分な脂を落としながら焼くことができるとともに、水蒸気や気流により被加熱物の表面が焦げすぎるのを防止することのできるマイクロ波加熱装置を提供する。 - 特許庁

To provide a baking apparatus for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device, which is good in productivity by preventing the devitrification of an outer enveloping tube of a near infrared ray heater.例文帳に追加

近赤外線ヒーターの外囲管の失透を防止して、生産性の良い半導体装置製造用焼成装置および半導体装置製造方法を提供する。 - 特許庁

When a gas is supplied into the baking space S from the gas supply passage 19, a gas flow F is formed along an inner peripheral face of the infrared ray transmitting member 7, that is, a surface of the base 9 side by the gas.例文帳に追加

ガス供給通路１９から焼成空間Ｓ内にガスが供給されると、当該ガスにより、赤外線透過部材７の内周面、すなわち台９側の表面に沿ってガス流Ｆが形成されることとなる。 - 特許庁