inhibit-gateとは 意味・読み方・使い方

To effectively inhibit capacity coupling of a floating gate by easily and certainly forming a recess formed in the upper part of an element isolation insulating film.例文帳に追加

素子分離絶縁膜の上部に形成される凹部を容易且つ確実に形成し、フローティングゲートの容量結合を効果的に防止する。 - 特許庁

To inhibit occurrence of the phenomenon of reverse differential pressure, and thus, to improve durability of a gate rotor, immediately after a screw compressor stops.例文帳に追加

スクリュー圧縮機の停止直後において、逆差圧現象の発生を抑制し、ひいてはゲートロータの耐久性を向上させる。 - 特許庁

To provide a gate type automatic transmission operation device devised to carry out park-lock and reverse-inhibit.例文帳に追加

パークロック及びリバースインヒビットが行える、構造的に改良されたゲート式自動変速機操作装置を提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of microcracks in a gate insulating film, and to inhibit developing the warpage of a large-sized substrate in the substrate particularly for a liquid crystal display.例文帳に追加

特に、液晶表示装置用の大型の基板において、ゲート絶縁膜のマイクロクラックの発生を防止し、基板の反りの発生を抑制する。 - 特許庁

To inhibit vitiation in the overlap area between a gate and a drain due to deviation in a photomask, either one of the gate electrode of a transistor and the source or drain electrode is set to an annular structure.例文帳に追加

フォトマスクの合わせずれによるゲ−ト−ドレイン間のオ−バラップ面積の変動を抑制するために、トランジスタのゲ−ト電極と、ソ−ス又はドレイン電極のうちどちらか一方のみとを、環状の構造となるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a recess gate electrode that can inhibit the formation of a parasitic channel, and to provide a method of forming the recess gate electrode, and a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

寄生チャンネルの形成を減少させることができるリセスゲート電極を備える半導体装置、そのリセスゲート電極の形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flash memory adapted to inhibit a leakage current betwwen a gate electrode with sidewall insulating films and an ohmic electrode opposite to the gate electrode, and to provide a method of manufacturing the flash memory.例文帳に追加

側壁絶縁膜を有するゲート電極とゲート電極に対向するオーミック電極との間のリーク電流を抑圧するフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To inhibit increase in film thickness calculated in terms of the film thickness of a silicon oxide film as the whole gate insulating film and to constitute an ultrathin gate insulating film containing an insulating film having a high dielectric constant as its main component.例文帳に追加

ゲート絶縁膜全体として、シリコン酸化膜換算膜厚の増加を抑制し、高誘電率を有する絶縁膜を主体とした極薄ゲート絶縁膜を構成すること。 - 特許庁