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intersubband transitionとは 意味・読み方・使い方
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「intersubband transition」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
QUANTUM WELL INTERSUBBAND TRANSITION DEVICE例文帳に追加
量子井戸サブバンド間遷移デバイス - 特許庁
AVALANCHE QUANTUM INTERSUBBAND TRANSITION SEMICONDUCTOR LASER例文帳に追加
アバランシェ量子サブバンド遷移半導体レーザ - 特許庁
To provide an avalanche quantum intersubband transition semiconductor laser which is easily manufactured by including a simple compact structure which consists of a little laminated structures.例文帳に追加
少ない数の積層構造からなる単純なコンパクト構造を有し、これにより、製造が容易なアバランシェ量子サブバンド遷移半導体レーザを提供する。 - 特許庁
A method for generating intersubband electron transition by TE mode light (electromagnetic wave) is invented by using a semiconductor having anisotropy in effective mass of electrons and forming a quantum well structure in a direction inclined from a main axis in an equal energy face.例文帳に追加
電子の有効質量に異方性がある半導体を用い、かつ、等エネルギー面の主軸から傾いた方向に量子井戸構造を形成することにより、TEモード光(電磁波)によりサブバンド間電子遷移を生じさせる方法を発明した。 - 特許庁
An emission element 1 includes: a quantum cascade active layer 4 being an active layer using the intersubband transition; an n-type buffer layer 3 and an n-type guide layer 5 as first conduction-type semiconductor layers; and a photonic crystal layer 7 as a two-dimensional diffraction grating.例文帳に追加
発光素子1では、サブバンド間遷移を用いた活性層である量子カスケード活性層4と、第1導電型の半導体層としてのn型バッファ層3およびn型ガイド層5と、2次元回折格子としてのフォトニック結晶層7とを備える。 - 特許庁
To achieve a mutual operation with TE mode light in addition to a mutual operation with light of a conventional TM mode; and to achieve high efficiency and high performance of devices since quantum well intersubband transition is applied to an infrared image sensor, a quantum cascade laser, and an ultra high-speed light modulation element.例文帳に追加
量子井戸サブバンド間遷移には、赤外線イメージセンサ、量子カスケードレーザや超高速光変調素子への応用があり、従来のTMモードのみの光との相互作用に加え、TEモード光との相互作用を可能にし、これらのデバイスの高効率、高性能化を実現する。 - 特許庁
A quantum cascade laser 1 for generating light having a predetermined wavelength such as an infrared light is composed by forming an AlGaAs/GaAs active layer 11 on a GaAs substrate 10 having a cascade structure with a quantum well light emitting layer and an injection layer alternately laminated and by using an intersubband transition in the quantum well structure.例文帳に追加
GaAs基板10上に、量子井戸発光層及び注入層が交互に積層されたカスケード構造を有するAlGaAs/GaAs活性層11を形成して、量子井戸構造でのサブバンド間遷移を利用して赤外光などの所定波長の光を生成する量子カスケードレーザ1を構成する。 - 特許庁
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「intersubband transition」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
The avalanche quantum intersubband transition semiconductor laser includes a first cladding layer, an active layer, and a second cladding layer formed on a semiconductor substrate, wherein the active layer includes at least one unit-cell structure which consists of combination of a carrier-multiplication structure layer for multiplying carriers, a carrier guide structure layer and a QW active region to which carriers are injected and in which optical radiative transitions occur.例文帳に追加
半導体基板上に形成される第1のクラッド層、活性層及び第2のクラッド層を含み、 前記活性層は、キャリアを増倍させるキャリア増倍構造層と、キャリアガイド構造層と、前記キャリアが注入され、光放射遷移(optical radiative transition)が生じるQW活性領域との組み合わせからなる少なくとも一つの単位セル構造物を含む。 - 特許庁
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