kv asとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 クワス
「kv as」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 62件
Thereby, the control gain kv* for execution is promptly changed to be used as a control gain kv, and the generation of abnormal noise that may occur when the control gain kv* for execution is slowly changed to be used as a control gain kv is restrained.例文帳に追加
これにより、実行用制御ゲインkv*を迅速に変化させて制御ゲインkvとし、実行用制御ゲインkv*をゆっくりと変化させて制御ゲインkvとする際に生じ得る異音の発生を抑制する。 - 特許庁
Specimens, with thicknesses as great as 1 μm, can be studied in a 1000 kV TEM.発音を聞く 例文帳に追加
厚さ1μmもある試料が、1000kV TEMでは研究することができる。 - 科学技術論文動詞集
In Fig.1, as for the electron lens at an acceleration voltage 5 kV, an auxiliary condensing lens 3 is detached.例文帳に追加
図1で、加速電圧5kVでの電子レンズは、補助コンデンサレンズ3を外した構成になっている。 - 特許庁
Thereafter, high-energy ion implantation such as well formation, etc., is performed by an acceleration voltage of 200 kV or higher.例文帳に追加
その後、ウェル形成などの加速電圧200kV以上の高エネルギーイオン注入をおこなう。 - 特許庁
A cascade 3, in accordance with the AC voltage Vac of this low voltage, outputs a DC voltage Vdc which is a lower voltage (-5 kV) as compared with a voltage (-60 kV) during the normal mode.例文帳に追加
カスケード3は、この低電圧の交流電圧Vacに応じて、通常モード時(−60kV)に比べて低電圧(−5kV)な直流電圧Vdcを出力する。 - 特許庁
A sequential projection is carried out under an optional kV spectrum with the knowledge of the information of other imaging system (250) to obtain an image as if the object to be scanned were scanned under the different kV spectrum.例文帳に追加
他のイメージング・システム(250)情報の知見と共に、任意のkVスペクトルの下で順投影を行ない、恰も走査対象がこの異なるkVスペクトルの下で走査されたかのような画像を形成する。 - 特許庁
In a normal mode, a control circuit 11 controls a high voltage control/generation circuit 10 so as to apply a high voltage, for example, of 8 kV to a matrix panel 9, but controls the high voltage control/generation circuit 10 so as to apply a high voltage not higher than the 8 kV, for example, 5 kV to the matrix panel 9 when a theater mode is specified.例文帳に追加
制御回路11は、ノーマルモードにおいては、マトリクスパネル9に対して例えば8KVの高電圧を印加するように高圧制御/発生回路10を制御しているのであるが、シアターモードが指定されると、マトリクスパネル9に対して前記8KV以下の例えば5KVの高電圧を印加するように高圧制御/発生回路10を制御する。 - 特許庁
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「kv as」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 62件
To provide a semiconductor device with a ferroelectrics which is excellent in switching characteristics of at least 10 kV or less as hysteresis angular ratio.例文帳に追加
半導体デバイスにおいて、ヒステリシスの角形比が10kV以下以上のスイッチング特性に優れた強誘電体が必要とされている。 - 特許庁
Furthermore, constant voltage bias of +2[kV] is applied to the conductive Mylar from a power source 103 functioning as a means for applying bias to the conductive part.例文帳に追加
更に、導電性マイラに導電性部バイアス印加手段として電源103から+2[KV]の定電圧バイアスを印加する。 - 特許庁
In the step S170, a sound volume ratio kv being a ratio of an output sound average amplitude and a musical sound average amplitude is derived as the amount of sound volume correction.例文帳に追加
ただし、S170では、出力音平均振幅と、楽音平均振幅との比率である音量比率kvを音量補正量として導出する。 - 特許庁
In this case, the electric-field-induced strain is percent deformation under application of an electric field of 4 kV/mm, as measured in a direction perpendicular to the electric field.例文帳に追加
ここで、前記電界誘起歪は、4kV/mmの電界が印加された場合の当該電界と垂直な方向における変形率である。 - 特許庁
The formula (1) is KV=[V]+[Nb]; wherein, [V] and [Nb] are respectively shown as contents (mass%) of V and Nb.例文帳に追加
KV=[V]+[Nb] ・・・(1)(但し、[V]および[Nb]は、夫々VおよびNbの含有量(質量%)を表す。) - 特許庁
Furthermore, as the piezoelectric body formed so as to have the orientation by the sputtering method has high dielectric strength, a voltage applied to the piezoelectric actuator 134 is made high (one example, ≥3 kV/mm and ≤25 kV/mm), and the amount of the displacement of the vibrating plate 130 can be made large.例文帳に追加
更に、スパッタ法により配向を有するように形成された圧電体は、耐電圧が高いので、圧電アクチュエータ134印加する電圧を高くして(一例で3kV/mm以上、25kV/mm以下)、振動板130の変位量を大きくすることできる。 - 特許庁
An annular conductor 18 is provided inside the nonlinear resistor 14 at the intermediate point, and the zinc oxide elements 13 are so stacked as to make the rated voltages of the upper part of the nonlinear resistor 14 located above the annular conductor 18 and the lower part of the nonlinear resistor 14, located below the annular conductor 18 equal to 266 kV and 154 kV, respectively.例文帳に追加
環状導体18は非直線抵抗体14の中間部に設けられ、当該環状導体18よりも上方部が定格電圧266kV、下方部が定格電圧154kVとなるように酸化亜鉛素子13がそれぞれ積層されている。 - 特許庁
To form a closed type gas insulated three-phase switchgear, in such a way that the switchgear can be used for low levels (73-145 kV) in a high- voltage division and can be assembled easily, and in addition, the space required by the switchgear can be reduced as much as possible.例文帳に追加
ガス絶縁3相密閉形開閉装置を、特に高圧区分内の低レベル(73〜145kV)用として使用可能に、しかもできるだけ所要スペースが小さくかつ組立が容易になるように形成する。 - 特許庁
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