lateral overgrowthとは 意味・読み方・使い方

The compound semiconductor is grown from the tip end of each Si nanowire coated with the compound semiconductor so that the compound semiconductor covering the insulator is formed by lateral epitaxial overgrowth (LEO) process.例文帳に追加

横方向エピタキシャル拡散（ＬＥＯ）プロセスにより、絶縁体に覆い被さる化合物半導体層を形成するために、化合物半導体がコーティングされたＳｉナノワイヤの先端から、化合物半導体が成長する。 - 特許庁

The PXLEDs are formed with novel fabrication techniques, such as the epitaxial lateral overgrowth technique over a patterned masking layer, yielding semiconductor layers with low defect density.例文帳に追加

ＰＸＬＥＤは、パターン化されたマスク層上で使用されるエピタキシャル横方向過度成長技術のような新しい製作技術で形成され、欠陥密度の低い半導体層が得られる。 - 特許庁

In order to improve the quality and purity of a second epi layer which is formed in a merged epitaxial lateral overgrowth (MELO) step, sealing by poly may be performed after formation of the TBO layer and before the MELO step.例文帳に追加

ポリによる封止が、合併型エピタキシャル横方向過成長(MELO)ステップで形成される第2のエピ層の質および純度を改善するために、TBO層の形成後およびMELOステップの前に実行され得る。 - 特許庁

To uniformly form recessed parts which realize ELO (epitaxial lateral overgrowth) growth of a GaN-based nitride semiconductor crystal on the main surface of a single crystal sapphire substrate, and to provide a production method suitable for mass production.例文帳に追加

単結晶サファイア基板主面に対して均一にGaN系窒化物半導体結晶をELO成長せしめるような凹部を形成するとともに、量産に適した製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the manufacturing period for a device and to improve its productivity by increasing the lateral growth rate of GaN by doping with indium (In) during laterally growing GaN by an LEO (lateral epitaxial overgrowth) method.例文帳に追加

本発明はＬＥＯ法を利用してＧａＮを側面成長させる際インジウム（Ｉｎ）ドーピングを通してＧａＮの側面成長速度を増加させ、より短時間内にＧａＮ層を形成するＩｎドーピングを通したＧａＮ側面成長方法に関するものである。 - 特許庁

The epitaxial lateral overgrowth substrate comprises a mother substrate, an island-like protective layer disposed on the mother substrate, and a GaNP layer disposed in contact with the upper faces and the sidewalls of the mother substrate and of the island-like protective layer.例文帳に追加

母材基板と、前記母材基板に設けられた島状保護層と、前記母材基板と前記島状保護層の上面および側壁とに接して設けられたＧａＮＰ層とを備えたエピタキシャル・ラテラル・オーバーグロース基板とする。 - 特許庁

By injecting the Cl-based gas or Br-based gas in the step of growing a nitride single crystal layer containing Al by using a lateral epitaxial overgrowth method (LEO), an adverse influence on the crystal growth due to the Al element (such as formation of a polycrystal) on the upper face of the dielectric mask can be eliminated.例文帳に追加

本発明によると、横方向エピタキシャル過成長法(LEO)を利用してAlを含んだ窒化物結晶層を成長させる場合に、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入することにより誘電体マスクの上面においてAl元素による結晶成長への悪影響(例えば、多結晶体の形成)を解消することができる。 - 特許庁

In the light emitting device 100 where the nitride semiconductor layer is grown epitaxially on the growth side 102a of a substrate 102, the substrate 102 has a thermal expansion coefficient different from that of the nitride semiconductor layer, a plurality of recesses 102c are formed in the growth side 102a of a substrate 102 with a period of ≤1 μm, and the nitride semiconductor layer is grown using lateral overgrowth.例文帳に追加

基板１０２の成長面１０２ａに窒化物半導体層がエピタキシャル成長される発光素子１００において、基板１０２は窒化物半導体層と熱膨張係数が異なり、基板１０２の成長面１０２ａは１μｍ以下の周期で形成された複数の凹部１０２ｃを有し、窒化物半導体層は横方向成長を利用して成長される。 - 特許庁