lattice expansionとは 意味・読み方・使い方

To suppress defects by suppressing a crack due to a thermal expansion coefficient difference and lattice constant difference of a growing III-V compound semiconductor layer and a substrate crystal.例文帳に追加

成長するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。 - 特許庁

To provide an improved method for growing a growth layer on a substrate where the thermal expansion coefficient and/or lattice constant of the layer is largely different from that of the substrate.例文帳に追加

基板上に、熱膨張係数及び／又は格子定数がその基板と大幅に相違する成長層を成長させるための改良された方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor layer has a larger thermal expansion coefficient than the light-transmitting layer, has a smaller lattice constant than the active layer, and has tensile stress in an in-plane direction.例文帳に追加

前記半導体層は、前記透光層の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有し、前記活性層の格子定数よりも小さい格子定数を有し、面内方向の引っ張り応力を有する。 - 特許庁

As hetero-epitaxial growth layers are deposited simultaneously on the first and second main surface of the substrate, warpages caused by a difference in lattice constaints and heat expansion coefficients cancel each other, so that the high quality epitaxial growth layers 5a and 5b can be obtained.例文帳に追加

基板の第１及び第２主表面上で同時にヘテロエピタキシャル成長を行うことで、格子定数及び熱膨張係数の違いによって生ずる反りを打ち消し合い、良質なエピタキシャル成長層５ａ、５ｂを得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor light emitting element wherein the generation of a crystal defect and dislocation caused by the mismatching of a lattice constant and the difference of thermal expansion coefficients are restrained to the utmost, and which can be cleaved.例文帳に追加

格子定数の不整合や熱膨張係数の相違に基づく結晶欠陥や転位の発生を極力抑え、かつ、劈開することができる半導体発光素子の製法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for growing a crystal, by which a good quality compound semiconductor crystal thin film can be formed even when a substrate which has not been hitherto used because of its lattice mismatch or the difference in the coefficients of thermal expansion is used, and to provide a compound semiconductor device utilizing the method.例文帳に追加

従来は格子不整や熱膨張係数差により使用できなかった基板を用いても、良質な化合物半導体結晶薄膜を形成できる結晶成長法、及びそれを利用した化合物半導体装置である。 - 特許庁

To prevent the occurrence of crystal defects caused by lattice mismatching and strains caused by differences in thermal expansion in a method by which an SiC film is manufactured on an Si substrate through epitaxial growth.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長させるＳｉＣ製造方法において、格子不整合による結晶欠陥発生および熱膨張差による歪みを抑制する。 - 特許庁

To provide a space-expansion structure capable of forming a two- dimensionally expanded plane without impairing the profile irregularity of films by arranging inflatable tubes in lattice or radially.例文帳に追加

本発明の課題は、インフレータブルチューブを格子状または放射状に配置することにより、フィルムの面精度を低下させることなく２次元方向に展開された平面を形成できる宇宙展開構造物を提供することにある。 - 特許庁