ma-nとは 意味・読み方・使い方

The memory gates of memory cells of a plurality of memory arrays MA<0>, MA<1>, MA<2>, to, MA<n> in write units WU of a nonvolatile memory module NVMU are connected to a memory gate line MG<0> for writing or erasing.例文帳に追加

不揮発性メモリモジュールＮＶＭＵの書き込み単位WUの複数のメモリアレーMA＜0＞、MA＜1＞、MA＜2＞…MA＜n＞のメモリセルのメモリゲートは、書き込みもしくは消去のためにメモリゲート線MG＜0＞に接続されている。 - 特許庁

When the number of times of counting with the set value (a) is defined as m times, and the number of times of counting with the set value b is defined as n times, the targeted number N is expressed with N = ma + nb.例文帳に追加

設定値ａでの計数回数をｍ回、設定値ｂでの計数回数をｎ回として、前記目標数ＮはＮ＝ｍａ＋ｎｂで表される。 - 特許庁

Thermal treatment is performed thereon diffusing an n-side cap layer 8A inside the gate electrode metal film M beneath the n-side cap layer 8A and allowing the former to react with the latter, thereby forming an n-side gate electrode metal film MA inside the nFET region Rn.例文帳に追加

その上で、熱処理を行って、ｎ側キャップ層８Ａを、その直下のゲート電極用金属膜Ｍ内に拡散・反応させて、ｎＦＥＴ領域Ｒｎ内にｎ側ゲート電極用金属膜ＭＡを形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device, while the contact width in a P+ type body layer 6 of a sense cell Se is C1 identical to that of a main cell Ma, the contact width C2 in an N+ type source layer 7 is smaller than the contact width C1 of the main cell Ma (C2<C1).例文帳に追加

センスセルＳｅのＰ＋型ボディ層６におけるコンタクト幅はメインセルＭａと同じＣ１であるが、Ｎ＋型ソース層７におけるコンタクト幅Ｃ２が、メインセルＭａのコンタクト幅Ｃ１よりも狭くなっている（Ｃ２＜Ｃ１）。 - 特許庁

A control circuit makes voltage VRESET+N*Vα change based on a position of selection memory cells MC10-MC13 in the memory cell array MA.例文帳に追加

制御回路は、電圧ＶＲＥＳＥＴ＋Ｎ＊ＶαをメモリセルアレイＭＡ内での選択メモリセルＭＣ１０〜ＭＣ１３の位置に基づいて変化させる。 - 特許庁

Memory transistors MA which have floating gates and control gates, and N channel MOS transistors QA of which the gates are connected to the floating gates of the memory transistors and which turns on or off in accordance with the storage data of the memory transistors MA, are included in the semiconductor integrated circuit device.例文帳に追加

この半導体集積回路装置では、浮遊ゲートおよび制御ゲートを有するメモリトランジスタＭＡと、ゲートが浮遊ゲートに接続され、メモリトランジスタＭＡの記憶データに応じてオンまたはオフするＮチャネルＭＯＳトランジスタＱＡとを含む。 - 特許庁

More specifically, the contact area between the N+ type source layer 7 of the sense cell Se and a sense side source electrode film 31 is smaller than the contact area between the N+ type source layer 7 of the main cell Ma and a main side source electrode film 21.例文帳に追加

つまり、センスセルＳｅのＮ＋型ソース層７とセンス側ソース電極膜３１とのコンタクト面積が、メインセルＭａのＮ＋型ソース層７とメイン側ソース電極膜２１とのコンタクト面積よりも小さくなっている。 - 特許庁