metal insulator semiconductor field-effect transistorとは 意味・読み方・使い方

To control punch through that occurs at the lower part of Fin in a Fin-type MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

本発明は、Ｆｉｎ型ＭＩＳＦＥＴにおいて、Ｆｉｎの下部で生じるパンチスルーを抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacturing method of the same having a high output resistance while maintaining a high mutual conductance by downscaling of an MIS (metal insulator semiconductor) type field effect transistor without employing an SOI (silicon on insulator) substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いることなく、ＭＩＳ型電界効果トランジスタの微細化により高い相互コンダクタンスを維持しながら、出力抵抗の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique capable of enhancing a production yield in a production process of a MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor) having a gate electrode composed of a metal silicide film.例文帳に追加

金属シリサイド膜からなるゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴの製造工程において、歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit such as a memory having an electrode and interconnection decreasing parasitic capacitance between source/drain of a MISFET(metal insulator semiconductor field-effect transistor) and a logic circuit embedded with the memory.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのソース／ドレイン間の寄生容量を減少させる電極および配線を有したメモリや、メモリ混載のロジック等の半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where a gate protect element for preventing the dielectric breakdown of a gate insulating film of MISFET (metal insulator semiconductor field-effect transistor) is located and can evaluate the characteristics of the MISFET in a wafer process.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜の絶縁破壊防止のためのゲート保護素子を設け、かつＭＩＳＦＥＴの特性をウエハプロセス中に評価することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, and a method for fabricating the semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, each use structural components from a dummy metal oxide semiconductor field effect transistor located and formed over an isolation region located over a semiconductor substrate.例文帳に追加

垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体、及び垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体の製造方法がそれぞれ、半導体基板の上に配置された分離領域の上に配置され形成されたダミー金属酸化物半導体電界効果トランジスタからの構造コンポーネントを用いる。 - 特許庁

To provide a Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor (MISFET) using a ferromagnet-based Schottky junction for the source-drain.例文帳に追加

ソース及びドレインに強磁性体によるショットキー接合を用いた金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）を提供すること。 - 特許庁

A layer structure of a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) has a layer of Si:C or SiGe:C sandwiched between a gate insulator and a layer in which impurities are doped to have a preselected work function.例文帳に追加

本構造は、ゲート絶縁物と、予め選ばれた仕事関数を持つために不純物をドープされた層との間にサンドイッチ状に挟まれたＳｉ：ＣまたはＳｉＧｅ：Ｃの層を備える。 - 特許庁