metal ion implantationとは 意味・読み方・使い方

To provide a platen for an ion implantation device capable of reducing metal contamination generating in a wafer and increasing a yield of a device manufactured from the wafer, and provide the ion implanting device.例文帳に追加

ウエハに発生する金属汚染を低減し、ウエハから製造されるデバイスの歩留りを向上させることができるイオン注入装置用プラテン、および、イオン注入装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises the step of conducting the ion implantation from the slanting direction permitting the ion to cross the grain boundary 3A of the columnar crystal structure, on the occasion of conducting ion implantation to form the source region and drain region, using the gate electrode 3 formed of a metal film of the columnar crystal structure as a mask.例文帳に追加

柱状結晶構造をもつメタル膜からなるゲート電極３をマスクとしてソース領域及びドレイン領域形成の為のイオン注入を行う際、前記柱状結晶構造のグレイン境界３Ａをイオンが横切るように斜め方向からイオン注入を行う工程が含まれてなることを特徴とする。 - 特許庁

The film is desirably formed by bringing the base material into contact with metal ions and plasma ions including reactive gas ions by a plasma ion implantation film-forming method.例文帳に追加

被膜は、プラズマイオン注入成膜法により金属イオン及び反応ガスイオンを含むプラズマイオンと基材とを接触させることにより形成することが好ましい。 - 特許庁

The metal surface is directly phase-transformed into a modified layer containing more ceramic particles with the ion beam implantation, or high-speed electron beam irradiation as the pretreatment, and the plasma processing as the main processing.例文帳に追加

イオンビーム注入、或いは、高速電子線照射を前処理とし、プラズマプロセッシングを主加工として、金属直面を直接的にセラミックス粒子を多く含む改質層に相変態させる加工法。 - 特許庁

A doping system has a shielding plate comprising a metal, a quartz, or the like provided in order to avoid ion implantation on the periphery section of the substrate.例文帳に追加

本発明のドーピング装置は、基板の外周部にイオンが注入されないように、金属又は石英などの絶縁材で形成される遮蔽板を設けることに特徴を有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing damage or peeling of a gate electrode containing metal material when forming an oxide film for protecting against ion implantation damage.例文帳に追加

イオン注入損傷の保護用酸化膜の形成時に、金属材料を含むゲート電極の損傷や剥離を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A via hole 11 and a groove 12 for second layer Cu wiring are formed on a first layer Cu wiring 7 that is formed on a MOS transistor 1, a barrier metal layer 13 is formed, and ion implantation is conducted.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１上に形成された第１層Ｃｕ配線７の上層にビア孔１１及び第２層Ｃｕ配線用の溝１２を形成し、バリアメタル層１３を形成した後、イオン注入を行う。 - 特許庁

Preferably, the oxygen-vacancy-inducing factors to be introduced are introduced by an ion implantation method using one or more metal elements selected from among titanium, tungsten, and molybdenum.例文帳に追加

導入する酸素欠陥誘起因子としては、チタン、タングステン、及びモリブデンのいずれか一または複数から選択される金属元素を用いてイオン注入法によって導入することが好ましい。 - 特許庁