metal organic chemical vapor depositionとは 意味・読み方・使い方

NON-POLAR a-PLANE GALLIUM NITRIDE THIN FILM GROWN BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

金属・有機化学気相成長によって成長した非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜 - 特許庁

To effectively utilize the surface area of a wafer susceptor in a metal-organic chemical vapor deposition apparatus.例文帳に追加

有機金属化学気相堆積装置のウエハサセプタの表面の面積を有効に利用する。 - 特許庁

ORGANOCOPPER COMPOUND FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND COPPER THIN FILM PREPARED BY USING THE SAME例文帳に追加

有機金属化学蒸着法用有機銅化合物及びそれを用いて作製した銅薄膜 - 特許庁

The MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method for growing the nitride semiconductor layer employing ammonium (NH_3) as a V-group material can be utilized.例文帳に追加

V族原料としてアンモニアNH_3を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。 - 特許庁

Next, the wafer is inserted into an MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) device to form the ferrodielectric film on the wafer 20.例文帳に追加

次に、ウェハ２０をＭＯＣＶＤ装置内に入れて、ウェハ２０上に強誘電体膜を形成する。 - 特許庁

RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD) METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING FILM USING THE RAW MATERIAL例文帳に追加

有機金属化学蒸着法用原料及び該原料を用いたシリコン含有膜の製造方法 - 特許庁

DEPOSITION METHOD OF GRADING PRXCA1-XMNO3 THIN FILMS BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD例文帳に追加

有機金属化学的気相成長法によるグレーディングＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜の堆積方法 - 特許庁

The depositing method can be CVD (chemical vapor deposition), MOCVD (organic metal chemical vapor deposition), ALD (atomic layer deposition), or those similar to this.例文帳に追加

蒸着は化学気相蒸着法ＣＶＤ、有機金属化学気相蒸着法ＭＯＣＶＤ、原子層蒸着法ＡＬＤ、またはこれと類似の蒸着法であり得る。 - 特許庁