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metal organic chemical vapor deposition methodとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 有機金属気相成長法
「metal organic chemical vapor deposition method」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 39件
METHOD FOR PRODUCING CARBON FIBER BY ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS例文帳に追加
有機金属化学気相蒸着法によるカーボンファイバの製造方法 - 特許庁
ON-SITE METHOD FOR CLEANING METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CHAMBER例文帳に追加
金属−有機物化学蒸着チャンバを洗浄するその場方法 - 特許庁
RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING METAL-CONTAINING FILM USING THE RAW MATERIAL例文帳に追加
有機金属化学蒸着法用原料及び該原料を用いた金属含有膜の製造方法 - 特許庁
RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD) METHOD AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING FILM USING THE RAW MATERIAL例文帳に追加
有機金属化学蒸着法用原料及び該原料を用いたシリコン含有膜の製造方法 - 特許庁
METAL-ORGANIC VAPORIZING AND FEEDING APPARATUS, METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS, METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD, GAS FLOW RATE REGULATOR, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
有機金属気化供給装置、有機金属気相成長装置、有機金属気相成長方法、ガス流量調節器、半導体製造装置、および半導体製造方法 - 特許庁
The MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method for growing the nitride semiconductor layer employing ammonium (NH_3) as a V-group material can be utilized.例文帳に追加
V族原料としてアンモニアNH_3を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。 - 特許庁
DEPOSITION METHOD OF GRADING PRXCA1-XMNO3 THIN FILMS BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD例文帳に追加
有機金属化学的気相成長法によるグレーディングPrxCa1−xMnO3薄膜の堆積方法 - 特許庁
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「metal organic chemical vapor deposition method」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 39件
The depositing method can be CVD (chemical vapor deposition), MOCVD (organic metal chemical vapor deposition), ALD (atomic layer deposition), or those similar to this.例文帳に追加
蒸着は化学気相蒸着法CVD、有機金属化学気相蒸着法MOCVD、原子層蒸着法ALD、またはこれと類似の蒸着法であり得る。 - 特許庁
The ferroelectric film 12 is formed on both side surfaces of the electrode SD by an MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method and the electrode TD is formed on a side surface of the ferroelectric film 12 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.例文帳に追加
強誘電体膜12はMOCVD法により電極SDの両側面に形成され、電極TDはCVD法により強誘電体膜12の側面に形成される。 - 特許庁
The protective film 12 can be deposited by ion-plating, expansive thermal plasma, the plasma-excited chemical vapor deposition method, the organic metal vapor deposition method, the organic metal vapor deposition epitaxy, sputtering, electronic beams, plasma spray or the like.例文帳に追加
保護膜12は、イオンプレーティング、膨張性熱プラズマ、プラズマ励起化学気相成長法、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム、プラズマスプレーなどにより成膜することができる。 - 特許庁
SOLUTION MATERIAL FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND FORMING METHOD OF COMPOSITE OXIDE SERIES DIELECTRIC THIN FILM USING THE MATERIAL例文帳に追加
有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いた複合酸化物系誘電体薄膜の製造方法 - 特許庁
METHOD OF FORMING PrxCa1-xMnO3 THIN FILM HAVING PrMnO3/CaMnO3 SUPERLATTICE STRUCTURE BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加
有機金属化学気相成長法によるPrMnO3/CaMnO3超格子構造を有するPrxCa1−xMnO3薄膜の形成方法 - 特許庁
TANTALUM COMPLEX AND SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPLEX AND USED FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM FORMED FROM THE SAME例文帳に追加
タンタル錯体及び該錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料並びにこれを用いて作製されたタンタル含有薄膜 - 特許庁
The film is formed of a metal nitride by a metallo-organic chemical vapor deposition method, and partially subjected to plasma treatment.例文帳に追加
この膜は、金属有機化学気相蒸着法による金属窒化物で形成され、部分的にプラズマ処理される。 - 特許庁
A copper thin film is produced from the copper complex or the mixture by an organic metal chemical vapor deposition method.例文帳に追加
本発明の銅薄膜は、上記銅錯体又は上記混合物を用いて有機金属化学蒸着法により作製された薄膜である。 - 特許庁
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