metal organic vapor phase epitaxial methodとは 意味・読み方・使い方

VAPOR-PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND ORGANIC METAL VAPOR-PHASE EPITAXIAL GROWTH DEVICE例文帳に追加

化合物半導体薄膜の気相成長方法および有機金属気相成長装置 - 特許庁

To provide a method whereby a high-quality and high-purity zinc-oxide-based thin film excellent in its surface flatness and having a few oxygen defects is grown in an epitaxial way at a low temperature by an organic-metal vapor-phase growth method.例文帳に追加

表面平坦性に優れるとともに、酸素欠損の少ない高品質で高純度な酸化亜鉛系薄膜を、有機金属気相成長法により低温でエピタキシャル成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial crystal that can be manufactured utilizing an organic metal vapor phase growth method, and has a modulation doped structure with less Zn diffusion into an adjacent layer, and to provide a light-receiving element.例文帳に追加

有機金属気相成長法を利用して製造可能で、隣接層へのＺｎ拡散の少ない変調ドープ構造を有するエピタキシャル結晶及び受光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device using a group III nitride compound semiconductor by using an appropriate index for highly purifying an epitaxial film grown under a varying growth condition in an organic metal vapor phase epitaxy furnace.例文帳に追加

有機金属気相成長炉において変動する成長条件の下で成長されるエピタキシャル膜の高純度化のための適切な指標を用いて、III族窒化物系化合物半導体を用いる電子デバイスを作製する方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor epitaxial wafer 1 which is grown with a crystalline layer 3 having a lattice constant and coefficient of thermal expansion on the front surface of a substrate 2 by a vapor phase growth method of an organic metal is provided with a stress offsetting layer 4 for imparting a tensile stress to the substrate 2 on the rear surface side of the substrate 2.例文帳に追加

有機金属気相成長法によって基板２の表面にこれと格子定数及び熱膨張係数を有する結晶層３を成長させた半導体エピタキシャルウェハ１において、上記基板２の裏面側に、その基板２に引張り応力を付与すべく応力相殺層４を備える。 - 特許庁