metal oxide film resistorとは 意味・読み方・使い方

Even when an oxidized film has been formed on the top of the first layer 13A, connection is made from the first layer 13A to the oxide conductor film 13B1 via the metal film 13B2 using a low contact resistor.例文帳に追加

第１層１３Ａの表層に酸化膜が形成されてしまった場合にも、第１層１３Ａから酸化物導電体膜１３Ｂ１までを、金属膜１３Ｂ２を介して低いコンタクト抵抗で接続する。 - 特許庁

To provide a metal oxide film resistor which realize a small change rate characteristic resistance with time and a long life even when a low cost insulating substrate with a low alumina content which does not scorch a mount substrate is used by improving the material quantity of the resistor film.例文帳に追加

抵抗膜の材質を改良することで、アルミナ含有率の低い安価で実装基板を焦がすことのない絶縁性基体を用いても、経時的な抵抗値変化率特性を良好に保て高寿命化が図れる酸化金属皮膜抵抗器を提供する。 - 特許庁

In the thin-film resistor to be used, a metal particle 11 mainly composed of an iron group is dispersed and mixed in an insulator film 12 of which main component is an oxide.例文帳に追加

鉄族を主成分とする金属粒子１１が、酸化物を主成分とする絶縁体膜１２中に分散して混入している薄膜抵抗体を利用する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory comprising a nonvolatile memory element having a variable resistor composed of a perovskite metal oxide film having an initial resistance appropriate operable.例文帳に追加

適正に動作可能な初期抵抗値を有するペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を備えてなる不揮発性記憶素子を用いて構成される不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

A resistor layer 4, composed of one kind of a metal compound from among ruthenium oxide, ruthenium nitride, tantalum oxide and tantalum nitride is collectively formed on a ceramic substrate 2 via a thin film 3, whose main component is titanium.例文帳に追加

セラミック基板２上にチタンを主成分とした薄膜３を介してルテニウム酸化物，ルテニウム窒化物，タンタル酸化物およびタンタル窒化物のいずれか１種の金属化合物からなる抵抗体層４を一体に形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The thin-film resistor structure includes a resistive film which includes a plurality of bumped shape recesses adjacent to an upper surface, a copper oxide layer having space distributed in net-shape among the bumped shape recesses, and a plurality of metal island-shaped portions located on the copper oxide layer and respectively provided in the space among the bumped shape recesses.例文帳に追加

薄膜抵抗器構造物であって、抵抗膜を含み、前記抵抗膜は、上面に隣接する複数の瘤状凹部を有し、且つ、前記瘤状凹部の間に網状に分布した空間を有する銅酸化物層と、前記銅酸化物層上に位置し、且つ、それぞれ、前記瘤状凹部の間の空間に設置される複数の金属島状物と、を含むことを特徴とする薄膜抵抗器構造物である。 - 特許庁

Then, the gate electrode side spacer of the metal oxide transistor, having the lightly-doped drain structure can be formed simultaneously with forming of a polysilicon resistor part, and the gate electrode and the polysilicon can be electrically separated, by providing the polysilicon side spacer on the gate electrode sidewall via the thermal oxide film.例文帳に追加

この時、 ＬＤＤ構造を有するＭＯＳトランジスタのゲート電極部サイドスペーサをポリシリコン抵抗部作成と同時に形成可能となり、ゲート電極側壁に熱酸化膜を介してポリシリコンサイドスペーサを有することで、ゲート電極とポリシリコンサイドスペーサが電気的に分離できる。 - 特許庁

To provide a method for forming a nonvolatile memory element during an wiring process for facilitating high integration by lamination and change of design when a nonvolatile memory element having a variable resistor composed of a perovskite metal oxide film is fabricated in a semiconductor integrated circuit, and a method for fabricating a nonvolatile memory element by a low temperature process without causing any thermal damage in the wiring process.例文帳に追加

半導体集積回路へ、ペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を有する不揮発性記憶素子を作りこむ際に、積層化による高集積化と設計変更を容易にする配線工程中において不揮発性記憶素子を形成する方法と、配線工程で熱的ダメージを与えることのない低温プロセスで形成可能な不揮発性記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁