metal-electrode semiconductor field-effect transistorとは 意味・読み方・使い方

Then, the semiconductor device 1 has, in an LDMOS region 5, an LDMOSFET (Lateral Double diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) composed of a body region 8, a drain buffer region 9, a source region 11, a gate electrode 14 etc.例文帳に追加

そして、半導体装置１は、ＬＤＭＯＳ領域５に、ボディ領域８、ドレインバッファ領域９、ソース領域１１およびゲート電極１４などからなるＬＤＭＯＳＦＥＴを備えている。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming an epitaxial layer 35a as a base layer of the bipolar transistor, in a state in which a gate electrode 31 of the insulated gate field effect transistor having at least a compound film of a high melting point metal is covered with a diffusion preventive film 57 of the high melting point metal.例文帳に追加

高融点金属の化合物膜を少なくとも含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極３１を高融点金属の拡散防止膜５７で覆った状態で、バイポーラトランジスタのベース層としてのエピタキシャル層３５ａを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device having a proper threshold voltage even when a metal having a work function higher than a predetermined value is employed as a gate electrode for a P-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor).例文帳に追加

本発明は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲート電極に所定値以上の仕事関数を有するメタルを用いた場合であっても、適正なしきい値電圧を有する半導体装置及び当該半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To set a plurality of threshold voltages without depending upon a gate insulating film, a channel or the like in a semiconductor device utilizing a metal insulating-film semiconductor field-effect transistor using a metallic semiconductor compound containing a metal and silicon and/or germanium as essential components as a gate electrode.例文帳に追加

金属とシリコンおよび／またはゲルマニウムを必須として含む金属半導体化合物をゲート電極とする金属絶縁膜半導体電界効果トランジスタを利用した半導体装置において、ゲート絶縁膜やチャネル等によらずに複数の閾値電圧を設定する。 - 特許庁

A lateral power metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) is provided, having a gate structure of connecting the insulated gate to the gate electrode through contacts at a plurality of locations.例文帳に追加

絶縁したゲートがコンタクトを介して複数の場所でゲート電極に接続されるようなゲート構造を有する、横方向パワー酸化金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）が提供される。 - 特許庁

A lateral power metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) equipped with a gate structure where an insulated gate is connected to a gate electrode at a plurality of spots through the intermediary of contacts is provided.例文帳に追加

絶縁したゲートがコンタクトを介して複数の場所でゲート電極に接続されるようなゲート構造を有する、横方向パワー酸化金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）が提供される。 - 特許庁

The field effect transistor includes a semiconductor structure including a first semiconductor layer 6 and a second semiconductor layer 4 in heterojunction with the first semiconductor layer 6, a source electrode 8, a drain electrode 10, a gate electrode 9, each formed on the first semiconductor layer 6, and a protective film 11 including at least a metal-doped fullerene formed on the first semiconductor layer 6.例文帳に追加

本発明にかかる電界効果トランジスタは、第１の半導体層６と当該第１の半導体層６とヘテロ接合した第２の半導体層４とを含む半導体構造と、第１の半導体層６上に形成されたソース電極８、ドレイン電極１０、及びゲート電極９と、第１の半導体層６上に形成された金属内包フラーレンを少なくとも含む保護膜１１と、を有する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a gate insulating film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate insulating film, and a plurality of kinds of field-effect transistor differing in threshold voltages, at least one kind of field-effect transistors having at least one kind of metal present in its gate insulating film.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を含む閾値電圧が異なる複数種類の電界効果型トランジスタを備え、電界効果型トランジスタの少なくとも１種類は、ゲート絶縁膜に少なくとも１種類の金属が存在する。 - 特許庁