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metal-organic CVDとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 有機金属気相堆積法
「metal-organic CVD」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
ORGANIC COMPOUND FOR CVD RAW MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM OF METAL OR METAL COMPOUND BY USING THE ORGANIC COMPOUND例文帳に追加
ＣＶＤ原料用の有機化合物及び該有機化合物を用いた金属又は金属化合物薄膜の製造方法 - 特許庁
In the film forming method for leading an organic metal compound and an oxidizer into a CVD device as sources and forming a metal oxide film on a substrate set in the CVD device, H_2 gas or H radicals are led into the CVD device.例文帳に追加
有機金属化合物と酸化剤をソースとしてＣＶＤ装置に導入し、該ＣＶＤ装置内にセットされた基板上に金属酸化膜を形成する膜形成方法において、Ｈ_２ ガスあるいはＨラジカルを該ＣＶＤ装置に導入するように構成する。 - 特許庁
The CVD-Ru film is formed through a process of forming an Ru film on a substrate by CVD using a film forming material containing an organic metal compound and a process of annealing the substrate where the Ru film is formed in a hydrogen containing atmosphere.例文帳に追加
有機金属化合物を含む成膜原料を用いてＣＶＤにより基板上にＲｕ膜を成膜する工程と、前記Ｒｕ膜が成膜された基板に対し、水素含有雰囲気でのアニールを行う工程とによりＣＶＤ−Ｒｕ膜を形成する。 - 特許庁
The vaporizer 1 atomizes a liquid material M composed of a liquid organic metal or an organic-metal solution toward a vaporization surface S1 inside a vaporization chamber 30, which is kept at a high temperature, to vaporize the atomized fine grains of the liquid material M, and supplies the material gas V generated by the vaporization to a CVD film-forming apparatus.例文帳に追加
気化器１は、液体有機金属若しくは有機金属溶液から成る液体材料Ｍを高温に保持された気化チャンバ３０内の気化面Ｓ１に向けて噴霧し、噴霧された液体材料微粒子Ｍを気化し、気化により生成した材料ガスＶをＣＶＤ成膜装置に供給する。 - 特許庁
In the method for depositing a metal oxide film having the gas shielding property on a surface of a predetermined base material by reacting organic metal with oxidizing gas by a plasma CVD method, the reaction mainly with the organic metal is performed by the glow discharge in a low output area, and the reaction of the organic metal with oxidizing gas is performed by the glow discharge in a high output area.例文帳に追加
プラズマＣＶＤ法により有機金属と酸化性ガスとを反応させて所定の基材表面にガス遮断性を有する金属酸化膜を形成する方法において、低出力領域でのグロー放電によって有機金属が主体とする反応を行った後、高出力領域でのグロー放電によって有機金属と酸化性ガスとの反応を行うことを特徴とする。 - 特許庁
To provide a novel solvent composition having broad utility for CVD precursors, such as those comprising metal organic compositions with β-diketonate ligands.例文帳に追加
β−ジケトネート配位子を有する有機金属組成物を含むような、ＣＶＤ前駆物質に対して広い効用を有する新規な溶剤組成物を提供すること - 特許庁
To improve both embeddability and film quality, while maintaining the merit that a substrate temperature is low at forming of a titanium nitride film through CVD(chemical vapor deposition) method, using organic metal raw material gas.例文帳に追加
有機金属原料ガスを用いたＣＶＤ法により窒化チタン膜を成膜するにあたり、基板温度が低いという利点を維持したままで、埋め込み性及び膜質の向上を両立させる。 - 特許庁
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「metal-organic CVD」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
To improve reproducibility of a film property of a CVD film by increasing the controllability of a water addition amount for a copper raw material solution for MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) treatment.例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ処理用の銅原料液に対する水の添加量の制御性を高めることにより、ＣＶＤ膜の膜質の再現性を向上させる。 - 特許庁
To provide a metal complex having properties suitable for precursors of CVD method and ALD method, especially, excellent melting point, heat resistance and solubility in organic solvents.例文帳に追加
ＣＶＤ法、ＡＬＤ法のプレカーサに適した性質を有し、特に、融点、耐熱性、有機溶剤への溶解性において、良好な金属錯体を提供すること。 - 特許庁
Meanwhile, the surface of the first base film is coated on a second base film made of a nitride or carbide of the bubble metal, and a copper film 15 is formed on the surface thereof by CVD using a copper organic compound as a material.例文帳に追加
一方、第１の下地膜の表面をバルブメタルの窒化物または炭化物からなる第２の下地膜に被覆し、その表面に銅の有機化合物を原料とするＣＶＤにより銅膜１５を成膜する。 - 特許庁
The depositing method can be CVD (chemical vapor deposition), MOCVD (organic metal chemical vapor deposition), ALD (atomic layer deposition), or those similar to this.例文帳に追加
蒸着は化学気相蒸着法ＣＶＤ、有機金属化学気相蒸着法ＭＯＣＶＤ、原子層蒸着法ＡＬＤ、またはこれと類似の蒸着法であり得る。 - 特許庁
A raw material feed control system performs in-line measurement of raw gas mixture to be fed via a vaporizer/mixer 6 so as to deposit an organic metal thin film (e.g., PZT film) of the target composition by an FTIR analyzer 11 in a preceding stage of a CVD apparatus 8.例文帳に追加
目標組成の有機金属薄膜（例、ＰＺＴ膜）を形成すべく、気化器・混合器６を経て供給される原料混合ガスをＣＶＤ装置８前段でＦＴＩＲ分析計１１によりインライン測定する。 - 特許庁
Subsequently, a third interlayer insulating film 20 is formed and a barrier metal film 110 and a further tungsten film 11 are deposited by organic CVD method and a second W plug 112 is formed in a third interlayer insulating film 20.例文帳に追加
その後、第３の層間絶縁膜２０を形成し、第３の層間絶縁膜２０中に有機ＣＶＤ法によるバリアメタル膜１１０、更にタングステン膜１１を堆積して第２のＷプラグ１１２を形成する。 - 特許庁
Then a GaN buffer layer (not shown in the figure) is formed on the SiC layer 1 to have a thickness of about 20 nm at a temperature of 500°C by the metal organic CVD method.例文帳に追加
次に、有機金属気相成長法により、このＳｉＣ層１上に、温度500℃でＧａＮバッファ層（図示せず）を２０ｎｍ程度の膜厚で形成する。 - 特許庁
The ferroelectric film 12 is formed on both side surfaces of the electrode SD by an MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method and the electrode TD is formed on a side surface of the ferroelectric film 12 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method.例文帳に追加
強誘電体膜１２はＭＯＣＶＤ法により電極ＳＤの両側面に形成され、電極ＴＤはＣＶＤ法により強誘電体膜１２の側面に形成される。 - 特許庁
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