metalorganic depositionとは 意味・読み方・使い方

METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD, METALORGANIC VAPOR DEPOSITION DEVICE, PROGRAM, RECORDING MEDIUM, SEMICONDUCTOR LASER PRODUCTION METHOD, SURFACE EMITTING LASER, OPTICAL SCANNER, IMAGE FORMING APPARATUS, OPTICAL TRANSMISSION MODULE, AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM例文帳に追加

有機金属気相成長法、有機金属気相成長装置、プログラム、記録媒体、半導体レーザ製造方法、面発光レーザ、光走査装置、画像形成装置、光伝送モジュール及び光伝送システム - 特許庁

A GaN semiconductor layer 2 is formed on the GaN monocrystal board 1 by a metalorganic chemical vapor deposition method.例文帳に追加

このＧａＮ単結晶基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element manufacturing method comprises a first step of forming a ground layer on a substrate at a first metalorganic chemical vapor deposition apparatus, and a second step of sequentially laminating a first n-type semiconductor layer, a second n-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer on the ground layer at a second metalorganic chemical vapor deposition apparatus.例文帳に追加

第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に下地層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記下地層上に第一ｎ型半導体層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を具備してなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 - 特許庁

To provide a method of growing selective area by metalorganic chemical vapor deposition, which can obtain a selective area growth layer having a surface with high flatness and uniform composition.例文帳に追加

表面が高い平坦度を有し、組成が均一な選択領域成長層を得ることのできる有機金属化学気相蒸着法による選択領域成長方法を提供する。 - 特許庁

To regularly appropriately control thin film growth temperature on a substrate by rapidly changing, when the composition of raw material gas to be introduced to an MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition) device is changed, the surface temperature of a counter plate in response thereto.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ装置に導入される原料ガスの組成が変更された場合に、迅速に対向板の表面温度をこれに応じて変化させることでき、基板上の薄膜成長温度を常に適正に制御することができるようにする。 - 特許庁

Nanostructures (12) of semiconductor materials can be grown on foreign substrates (10) by molecular beam epitaxy (MBE), chemical vapor deposition (CVD), metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE).例文帳に追加

半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。 - 特許庁

A lithium ion secondary battery is manufactured by forming a positive electrode layer on a base material with a flat surface by a chemical vapor deposition method, specifically an metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method, forming an electrolyte layer on the positive electrode layer, and forming a negative electrode layer on the electrolyte layer.例文帳に追加

平面を有する基材上に化学気相成長法、具体的には有機金属気相成長法により正極層を形成し、正極層上に電解質層を形成し、電解質層上に負極層を形成するリチウムイオン二次電池を作製する。 - 特許庁