n-GaNとは 意味・読み方・使い方

The buffer layer 2 is made of an n-GaN layer having n-type conductivity.例文帳に追加

バッファ層２はｎ型の導電性を有するn-GaN層から成る。 - 特許庁

A GaN buffer layer 2, an n-type GaN layer 3, an n-type AlGaInN cladding layer 4, a GaN active layer 5, a p-type AlGaInN cladding layer 6, and a p-type GaN layer 7 are sequentially deposited on a sapphire substrate 1 in this order.例文帳に追加

サファイア基板１上にGaNバッファ層２、n-GaN層３、n-AlGaInNクラッド層４、GaN活性層５、p-AlGaInNクラッド層６、p-GaN層７を順次堆積する。 - 特許庁

An n-side electrode 7 is formed on the exposed n-type GaN layer 2.例文帳に追加

露出したｎ型GaN層２上にｎ側電極７を形成する。 - 特許庁

On a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 12, an InGaN/GaN active layer 14, a p-type GaN layer 16, and a transparent electrode layer 18 are stacked to constitute a light-emitting diode.例文帳に追加

sapphire基板１０の上にｎ型GaN層１２、InGaN/GaN活性層１４、ｐ型GaN層１６、透明電極層１８を積層して発光ダイオードを構成する。 - 特許庁

Undope GaN of 3 mm having the principal surfaces of (11-20) surfaces are formed on a substrate, then, AlN of 1 nm, n-type Al_0.25Ga_0.75N of 25 nm and n-type GaN of 50 nm are formed thereon.例文帳に追加

基板上に(1 1 -2 0)面を主面とするアンドープのGaNが3mm、その上に、AlNが1nm、ｎ型Ａｌ_0.25Ｇａ_0.75Ｎが25nm、n型GaNが50nm形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of an n-GaN layer 11, a p-GaN layer 12 and an n-GaN layer 13 on the n-GaN layer 11, an n^--GaN layer 14 on the p-GaN layer 12, and an n-GaN layer 21 on the n-GaN layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ−ＧａＮ層１１、ｎ−ＧａＮ層１１上にｐ−ＧａＮ層１２とｎ−ＧａＮ層１３、ｐ−ＧａＮ層１２上にｎ^- −ＧａＮ層１４、ｎ−ＧａＮ層１３上にｎ−ＧａＮ層２１、で構成されている。 - 特許庁

After the electrolysis reaches the GaN active layer 5, the electrolysis is further continued while light is applied and, when the electrolysis reaches the n-type GaN layer 3, the electrolysis is discontinued.例文帳に追加

GaN活性層５まで達した後光照射を行いながら、さらに電気分解し、n-GaN層３に達したら電気分解を中止する。 - 特許庁