narrow band gap semiconductorとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device for reducing a leakage current and manufacturing costs in a capacitor using a high dielectric constant film having a narrow band gap, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

バンドギャップが狭い高誘電率膜を用いたキャパシタにおいて、リーク電流を低減するとともに、製造コストを削減することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a semiconductor material at a low cost, which has a smooth surface, high density and large strength, and as for a band gap, can correspond to a wide-range wavelength between a wide gap due to silicon nanocrystals and a narrow gap due to silicide nanocrystals.例文帳に追加

平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。 - 特許庁

Thereby, since the metallic carbon nanotubes can be changed to the semiconductor like carbon nanotubes and also the semiconductor like carbon nanotubes having a narrow energy band gap to those having a wide energy band gap, such semiconductor like carbon nanotubes are widely utilized as an electronic element, electrooptical element, energy storage element or the like.例文帳に追加

これにより、金属性炭素ナノチューブを半導体性炭素ナノチューブに、かつ、エネルギーバンドギャップの狭い半導体性炭素ナノチューブをエネルギーバンドギャップの広い半導体性炭素ナノチューブに変えられるため、電子素子、電気光学的な素子又はエネルギー貯蔵素子などに幅広く利用できる。 - 特許庁

A composition is changed during the growth of the layers 4 and compound semiconductor layers 5 having a narrow band gap are formed in the layers 4, thus constituting the compound-semiconductor structure containing the quantum box and the quantum small wire.例文帳に追加

２次エピタキシャル層４の成長中に組成を変化させバンドギャップの狭い化合物半導体層５を２次エピタキシャル層４中に形成することにより、量子箱や量子細線を含む化合物半導体構造を構成する。 - 特許庁