nitric acid etchingとは 意味・読み方・使い方

The second cerium ammonium of nitric acid-perchloric acid aqueous solution is used for the etching liquid, and the second cerium ammonium solution of nitric acid is supplemented to replenish the liquid fatigue by prolonged use of the etching liquid and the consumption of principal component, and the etching is carried out, by maintaining the concentration of the second cerium ammonium of nitric acid in the etching liquid to be in the range of 20 to 25 wt%.例文帳に追加

硝酸第二セリウムアンモニウム−過塩素酸水溶液をエッチンク液に用い、エッチンク液の長期間使用による液疲労および主成分の消耗を補充するに硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液の補充をもって行い、エッチンク液中の硝酸第二セリウムアンモニウム濃度を２０〜２５重量％の範囲に維持してエッチンクすること。 - 特許庁

The etching solution is formed from a mixed solution of hydrochloric acid and nitric acid, and etches an indium tin oxide.例文帳に追加

塩酸と酢酸の混合水溶液からなることを特徴とするインジウム錫酸化物をエッチングするためのエッチング溶液。 - 特許庁

To utilize waste solution containing nitric acid, hexafluoro silicic acid, etc., used for etching or washing electronic parts as a pickling solution for stainless steel.例文帳に追加

電子部品のエッチングや洗浄に用いられた硝酸、ヘキサフルオロケイ酸などを含む廃液をステンレス鋼の酸洗液として利用する。 - 特許庁

The ratio of hydrofluoric acid to nitric acid in the etching solution is 0.07≤[HF]wt/[HNO3]wt≤0.59 by weight.例文帳に追加

エッチング液中におけるフッ酸と硝酸の比が、重量比で、０．０７≦［ＨＦ］_wt／［ＨＮＯ_3］_wt≦０．５９を満たす。 - 特許庁

To provide a technique utilizing a nitric acid waste solution, a hydrogen fluoride waste aqueous solution and a nitric-hydrofluoric acid waste solution used for etching and cleaning of electronic parts as a pickling solution for stainless steel.例文帳に追加

電子部品のエッチングや洗浄に用いられた硝酸廃液、フッ化水素水廃液、硝フッ酸廃液をステンレス鋼の酸洗液として利用する技術を提案する。 - 特許庁

To provide a method of controlling a nitric acid-containing solution in nitrite ion concentration and restraining NOx gas from being generated when a silicon wafer is subjected to etching by using a nitric acid-containing solution.例文帳に追加

硝酸含有液でシリコンウエハをエッチング処理する場合における亜硝酸イオン濃度の制御、ＮＯxガスの発生を抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To restrain an etching rate from lowering caused by continuous etching by only a mixed acid, by etching buffered hydrofluoric acid after etching by the mixed acid that is a chemical liquid mixed with hydrogen fluoride HF and nitric acid HNO_3, and to uniformly remove a conductive film on a surface of a substrate, or a conductive film on a reverse face of the substrate.例文帳に追加

フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ_3）との混酸を用いたエッチング方法では、この混酸を供給し続けている個所のエッチングレートが低下する傾向が見られ、基板の表面または裏面のポリシリコン膜を、均一に除去することは困難である。 - 特許庁

A crystal defect of the first silicon-germanium thin film 11 is removed by a selective etching (hydrogen fluoride/nitric acid).例文帳に追加

第１のシリコンゲルマニウム薄膜１１の結晶欠陥を選択エッチング（フッ酸／硝酸）によって除去する。 - 特許庁