noble-gas plasmaとは 意味・読み方・使い方

The anode can be an inlet port for receiving noble gas for use in forming the plasma and for pressurizing the anode.例文帳に追加

このアノードは、プラズマの形成に使用するための希ガスを受け入れるため、およびアノードを加圧するための流入ポートとすることができる。 - 特許庁

To provide a dry etching method of a film containing a noble metal free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas and applying low frequency bias power to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

貴金属を含む膜のドライエッチング方法において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and low frequency bias power is applied to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁

The method for dry-etching a High-k film by using plasma is configured to add a small amount of fluorocarbon gas with a high carbon element composition ratio to BCl_3 gas mixed with noble gas.例文帳に追加

プラズマを用いＨｉｇｈ−ｋ膜をドライエッチングする方法で、希ガスと混合したＢＣｌ_3ガスに、炭素元素比率の高いフルオロカーボンガスを微少添加する構成とした。 - 特許庁

A mixed gas of Xe, Kr or Ar and Xe or a mixed gas of Ar and Kr which can reduce the electron temperature of plasma is used as a noble gas in processing a film to be processed being an insulating film.例文帳に追加

さらに、絶縁膜である被加工膜を加工する際の希ガスとして、プラズマの電子温度を低減できるＸｅもしくはＫｒもしくＡｒとＸｅの混合ガスもしくはＡｒとＫｒの混合ガスを適用した。 - 特許庁

Before the edge coating film 34 or an edge reinforcing protection film 35 is formed on the resonator edge faces 13, 14, the plasma processing is performed on the front surface of the nitride semiconductor laser bar 10 including at least the resonator edge faces 13, 14, through the use of nitride gas or the mixed gas of the nitride gas with noble gas.例文帳に追加

共振器端面１３、１４上に端面コート膜３４または端面強化保護膜３５を形成する前に、少なくとも共振器端面１３、１４を含む窒化物半導体レーザバー１０の表面を窒素ガスまたは窒素ガスと希ガスの混合ガスによってプラズマ処理する。 - 特許庁

In a sputtering method, a sputtering gas containing a noble gas is introduced from two or more points into a vacuum chamber 1, a molecular weight of the sputtering gas introduced from around the target 2 is controlled to be larger than those of any sputtering gasses introduced from around a substrate 51, and also an introduction gas plasma source 13 is provided around the target 2 to convert the sputtering gas into plasma.例文帳に追加

希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ１内へ２ヶ所以上の場所から導入し、ターゲット２の周囲から導入するスパッタリングガスの分子量を、基板５１の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べて大きくすると共に、ターゲット２の周囲に、スパッタリングガスをプラズマ化する導入ガス用プラズマ源１３を設ける。 - 特許庁

The invention realizes smoothing of surfaces by use of a low energy ion or neutral noble gas beam, which may be formed in an ion source or a remote plasma source.例文帳に追加

本発明は、イオン源またはリモートプラズマ源で形成できる低いエネルギーのイオンまたは中性希ガスのビームを使用して表面の平滑化を実現するものである。 - 特許庁