on one's P'sとは 意味・読み方・使い方

When a pitch of the pixel to which the expansion projection is performed on the screen is assumed to be P_P, Fresnel lens pitch P_F and lenticular lens pitch P_L are set as values to simultaneously satisfy one inequality of a first group of conditional expressions, and one inequality of a second group of conditional expressions.例文帳に追加

スクリーン上に拡大投写された画素のピッチをＰ_Pとしたとき、フレネルレンズピッチＰ_F、及びレンチキュラーレンズピッチＰ_Lを、第一の条件式の群のうちの一つの不等式と、第二の条件式の群のうちの一つの不等式とを同時に満足する値に設定する。 - 特許庁

When a pitch of the pixel to which the expansion projection is performed on the screen is assumed to be P_P, Fresnel lens pitch P_F and lenticular lens pitch P_L are set as values to simultaneously satisfy one inequality of a first group of conditional expressions and one inequality of a second group of conditional expressions.例文帳に追加

スクリーン上に拡大投写された画素のピッチをＰ_Pとしたとき、フレネルレンズピッチＰ_F、及びレンチキュラーレンズピッチＰ_Lを、第一の条件式の群のうちの一つの不等式と、第二の条件式の群のうちの一つの不等式とを同時に満足する値に設定する。 - 特許庁

The control part controls at least one of the order of forming images on the subsequent sheet P (2-1) and the next sheet P (2-2), image forming position, and inverted carrying by an image forming device body 10.例文帳に追加

制御部は画像形成装置本体10による後続シートP(2-1)及び次のシートP(2-2)の画像形成順、画像形成位置及び反転搬送の少なくとも一つを制御する。 - 特許庁

Namely, the mixing part of one member P to be jointed and the other member P to be jointed is made to change in the axial direction of the friction jointing tool T to sufficiently mix the both members P, P to be jointed on the stacking layer face 4.例文帳に追加

すなわち、一方の被接合部材Ｐと他方の被接合部材Ｐとの混ざり合う部分を、摩擦接合ツールＴの軸方向に変化させ、積層面４における両被接合部材Ｐ、Ｐを充分に混ざり合わせる。 - 特許庁

The organic electroluminescence element material contains a compound having N and P, N and Si, P and Si, or P and P, Si and Si on 1,4-positions of one ring of a condensed polycyclic system (at least pentacyclic system) as ring-constituting atoms thereof.例文帳に追加

縮合多環系（少なくとも五環系）の一つの環の環構成原子としてＮとＰ、ＮとＳｉ、ＰとＳｉ、あるいはＰとＰ、ＳｉとＳｉを１，４位に有する化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子材料。 - 特許庁

A p-type low density epitaxial growth layer 4 is formed on one surface of a p-type high density semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型高濃度半導体基板２の一表面上にＰ型低濃度エピタキシャル成長層４が形成されている。 - 特許庁

A buffer layer 11, a p-type semiconductor layer 12 and a p-type contact layer 13 are laminated on one side of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の一面側に、バッファ層１１、ｐ型半導体層１２およびｐ型コンタクト層１３がこの順に積層されている。 - 特許庁

The cold-rolled steel sheet includes Mn of 0.05 mass% or more and S of 0.020 mass% or less; and has a film containing P on at least one surface.例文帳に追加

Mn:0.05mass%以上およびS:0.020mass%以下を含有し、少なくとも一方の表面にPを含有する皮膜を有することを特徴とする冷延鋼板。 - 特許庁