oxygen‐dopeの英語

At the ejecting hole 3 side of the heating furnace, a heating zone 4 provided with plural air/fuel burners 41 (may be used to an oxygen dope type).例文帳に追加

加熱炉の抽出口３側には、複数の空気／燃料バーナ４１（酸素ドープ式であっても良い）を備えた加熱ゾーン４が設けられている。 - 特許庁

A manufacturing process of a bottom gate structure transistor having an oxide semiconductor film comprises performing dehydration by heat treatment or a dehydrogenation treatment, and oxygen dope processing.例文帳に追加

酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。 - 特許庁

Also, the gate structure has an oxygen-dope titanium membrane 3 (the film is mixed with amorphous titanium that oxygen is doped, and amorphous titanium oxide or titanium oxide microcrystals) below the platinum microcrystals 5 with the Pt-Ti-O region in the grain boundary 6.例文帳に追加

さらに、結晶粒界６にＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を有するプラチナ微結晶５の下に、酸素ドープチタン膜３(酸素をドープした非晶質のチタン、非晶質酸化チタン、または、酸化チタン微結晶が混じり合った膜)を形成した構造とする。 - 特許庁

A channel separation area 29 composed of an oxygen dope semi-insulating multicrystal silicon film 35a wherein phosphorous is doped, is formed between a left-side p gate diffusion area 23 and a right-side p gate diffusion area 23' on an n-type silicon substrate, and between the CH1 and the CH2.例文帳に追加

そして、Ｎ型シリコン基板上における左側のＰゲート拡散領域２３と右側のＰゲート拡散領域２３'との間であって、ＣＨ1とＣＨ2との間に、リンがドープされた酸素ドープ半絶縁多結晶シリコン膜３５aでなるチャネル分離領域２９が形成されている。 - 特許庁

To prevent zero-cross operation failures by a parasitic capacitance of a semi-insulating film to operate stably an AC voltage in a photo-thyristor element incorporated with a MOSFET for obtaining a zero-cross function, comprising a photodiode or a phototransistor for photodriving a gate of the MOSFET, and having a high breakdown voltage passivation film provided with an oxygen dope semi-insulating film on an insulation film.例文帳に追加

ゼロクロス機能を得るためのＭＯＳＦＥＴを内蔵し、ＭＯＳＦＥＴのゲートを光駆動するためのフォトダイオードまたはフォトトランジスタを備え、絶縁膜上に酸素ドープ半絶縁膜を設けた高耐圧パッシベーション膜を有するフォトサイリスタ素子において、半絶縁膜の寄生容量によるゼロクロス動作不良を防いでＡＣ電圧に対して安定して動作させる。 - 特許庁

A transistor having a gate insulation film on which the oxygen dope processing is performed, and an oxide semiconductor film on which dehydration by heat treatment or dehydrogenation treatment is performed can reduce an amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test (BT test), and can be highly reliable.例文帳に追加

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁