p型シリコンの英語

In a semiconductor memory device 70, each STI (shallow trench isolation) 2 is buried in a first main face (surface) of a semiconductor substrate 1, which is P-type silicon in a word-line direction.例文帳に追加

半導体記憶装置７０では、ワード線方向において、P型シリコンである半導体基板１の第１主面（表面）にＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）２が埋設される。 - 特許庁

In such a semiconductor device, a depletion layer 106 is formed in the low-density P-type silicon substrate 101 below the inductor 105 along the thickness direction from the upper surface of the silicon substrate 101, so that the eddy current induced by a current flowing to the inductor 105 is blocked by the depletion layer 106.例文帳に追加

このような半導体装置では、インダクタ105下方の低濃度P型シリコン基板内101にシリコン基板101の表面から厚み方向に空乏層106が形成されているため、インダクタ105を流れる電流によって誘起される渦電流は空乏層106によって遮断される。 - 特許庁