photoluminescence excitationとは 意味・読み方・使い方

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING LEVEL IN FORBIDDEN BAND BY PHOTOLUMINESCENCE WITH ADDED THERMAL EXCITATION例文帳に追加

熱励起を加えたフォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法およびその測定装置 - 特許庁

To provide a method for evaluating Cu contamination in a silicon wafer with high-sensitivity in non-destructive manner by using a strong excitation micro photoluminescence method.例文帳に追加

強励起顕微フォトルミネッセンス法を用いてシリコンウェーハ中のＣｕ汚染を高感度かつ非破壊で評価する方法を提供する。 - 特許庁

It can hold the ingot 1 without the optical adjustments including irradiating the semiconductor crystal with a laser beam as an excitation light and condensing the photoluminescence light PL1 even if the aperture of the ingot 1 differs.例文帳に追加

インゴット１の口径が異なっても半導体結晶への励起光としてのレーザ光の照射及びフォトルミネッセンス光ＰＬ１の集光を行う光学系の調整をしないでインゴット１を保持できる。 - 特許庁

An excitation light scanning of the sample (dispersion fluid in which carbon nanotube is dispersed) is performed over the whole range of wavelength to measure the spectrum of photoluminescence, and a chirality distribution is created and displayed based on the its results (S1-S3).例文帳に追加

まず試料（カーボンナノチューブが分散された分散液）に対する全波長領域の励起光走査を行ってフォトルミネッセンスのスペクトルを測定した結果に基づき、カイラリティ分布を作成・表示する（Ｓ１〜Ｓ３）。 - 特許庁

Performance of photoluminescence measurement by light excitation of the intense electric field drift layer 6 detects peaks of emission from the silicon microcrystals 63.例文帳に追加

強電界ドリフト層６に光エネルギを与えて励起させてフォトルミネッセンス測定を行うと、シリコン微結晶６３からの発光のピークが検出される。 - 特許庁

By using the strong excitation micro photoluminescence method, each intensity of photoluminescence light emitted from an evaluated semiconductor silicon wafer and from the non-contaminated portion of a reference semiconductor silicon wafer is measured and compared, and thus Cu contamination in the semiconductor silicon wafer is evaluated.例文帳に追加

強励起顕微フォトルミネッセンス法を用い、評価対象の半導体シリコンウェーハと参照半導体シリコンウェーハの汚染のない部分とから発光されるフォトルミネッセンス光の光強度を測定して比較することにより当該半導体シリコンウェーハ中のＣｕ汚染を評価するようにした。 - 特許庁

Excitation light having energy that is lower than the band gap energy of a substrate is applied from the rear side of the substrate and photoluminescence is detected from the rear of the substrate in a method for non-destructively inspecting the carrier concentration of the semiconductor epitaxial film formed on the front of the substrate via a buffer layer by photoluminescence.例文帳に追加

基板の表面にバッファ層を介して形成された半導体エピタキシャル膜のキャリア濃度をフォトルミネッセンスで非破壊検査する方法において、該基板のバンドギャップエネルギーより低いエネルギーをもつ励起光を該基板の裏面側から照射し、フォトルミネッセンスを該基板の裏面から検出することを特徴とする。 - 特許庁