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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > JST科学技術用語日英対訳辞書 > photoluminescence intensityの意味・解説 

photoluminescence intensityとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 光ルミネセンス強度


JST科学技術用語日英対訳辞書での「photoluminescence intensity」の意味

photoluminescence intensity


「photoluminescence intensity」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 20



例文

To provide a method of manufacturing a quantum well structure having a well layer with high photoluminescence intensity, a semiconductor laser, and a compound semiconductor layer with the high photoluminescence intensity, and to provide a method of controlling a molecular beam epitaxy device using the photoluminescence intensity of the compound semiconductor layer.例文帳に追加

フォトルミネッセンス強度が高い井戸層を有する量子井戸構造、半導体レーザ、フォトルミネッセンス強度が高い化合物半導体層を製造する方法及び化合物半導体層のフォトルミネッセンス強度を用いてMBE装置の状態を管理する方法を提供する。 - 特許庁

The impurity concentration in the substrate is obtained from the light intensity of the photoluminescence light.例文帳に追加

上記フォトルミネッセンス光の光強度から基板中の不純物濃度を求める。 - 特許庁

The light intensity of photoluminescence light emitted inside the substrate and detected at an upper part is obtained.例文帳に追加

基板の内部で発光し、上方に検出されるフォトルミネッセンス光の光強度を求める。 - 特許庁

The active layer 5 of the InGaN quantum well structure is formed in the manner that the ratio of the photoluminescence light emitting intensity at 300 K becomes 0.1 or less for the photoluminescence light emitting intensity for 5 K.例文帳に追加

5Kにおけるフォトルミネッセンス発光強度に対する300Kにおけるフォトルミネッセンス発光強度の比が0.1以下となるように、InGaN量子井戸構造からなる活性層5を形成する。 - 特許庁

Then the luminous intensity ratio between the pale rose-color spectrum and yellow-green spectrum in obtained photoluminescence spectra is found.例文帳に追加

得られたフォトルミネッセンススペクトルでの淡紅色のスペクトルと黄緑色のスペクトルとの発光強度比を求める。 - 特許庁

The photoluminescence light emitting intensity reflects amplitude in spatial change of the In composition ratio in the quantum confining structure.例文帳に追加

フォトルミネッセンス発光強度比は、量子閉じ込め構造におけるIn組成比の空間的変化の大きさを反映している。 - 特許庁

例文

A plurality of depth dependency graphs by temperatures of photoluminescence intensity of a semiconductor wafer of good quality and a reference temperature dependence graph are generated, and a dominant wafer depth region of photoluminescence intensity is obtained for each of the depth dependency graphs by the temperatures to generate a measured temperature dependence graph.例文帳に追加

良品の半導体ウェーハのフォトルミネセンス強度について、複数の温度別深さ依存グラフおよび基準温度依存グラフを作成し、温度別深さ依存グラフ毎について、フォトルミネセンス強度の支配的なウェーハ深さ領域を求め、実測温度依存グラフを作成する。 - 特許庁

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クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「photoluminescence intensity」の意味

photoluminescence intensity


「photoluminescence intensity」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 20



例文

Then the photoluminescence of the n-type buffer layer that becomes an object to be evaluated is measured and the luminous intensity ratio between the rose-color spectrum and yellow-green spectrum is found from the obtained photoluminescence, and then, the carrier concentration corresponding to the luminous intensity ratio is read from the calibration curve (step ii).例文帳に追加

次いで評価対象となるn型バッファ層に対し、フォトルミネッセンス測定を行い、得られたフォトルミネッセンススペクトルから淡紅色のスペクトルと黄緑色のスペクトルとの発光強度比を求め、該発光強度比に対応するキャリア濃度を検量線から読み取る(ii)。 - 特許庁

The luminescence type photomagnetic sensor includes a light source, a photomagnetic element 1 forming the magnetic semiconductor film having a photoluminescence effect, and a photodetector for measuring intensity of light from the light source amplified by the photoluminescence effect of the photomagnetic element 1.例文帳に追加

光源と、フォトルミネッセンス効果を有する磁性半導体膜を形成した光磁気素子1と、この光磁気素子1のフォトルミネッセンス効果によって増幅された光源からの光の強度を測定する受光器とを備えたルミネッセンス型光磁気センサ。 - 特許庁

Then photoluminescence light intensity and film quality are similarly measured with respect to an amorphous or polycrystalline reference oxide semiconductor formed in the same processes with the oxide semiconductor layer to be inspected and having the same element composition and film thickness with the oxide semiconductor layer to be inspected to obtain a relationship between the photoluminescence light intensity and film quality, and the film quality of the oxide semiconductor layer is estimated based upon the relationship.例文帳に追加

そして、被検査酸化物半導体層と同じ工程で作製され、被検査酸化物半導体層と同じ元素組成と膜厚とを有する、非晶質又は多結晶性の参照用酸化物半導体層に対し、同じフォトルミネッセンス光強度の測定と、膜質の測定とを行い、フォトルミネッセンス光強度と膜質との関係を得て、この関係に基づいて酸化物半導体層の膜質を推定する。 - 特許庁

The agglomerated particle 92 consisting of an agglomerate of plural magnesium oxide crystal grains is such that a ratio of the maximum intensity of photoluminescence in the range of wavelengths from 200 nm and over to less than 300 nm to the maximum intensity of photoluminescence in the range of wavelengths from 300 nm and over to less than 500 nm is 0.1 to 10, both ends incl.例文帳に追加

酸化マグネシウム結晶粒子が複数凝集した凝集粒子92は、波長200nm以上300nm未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度と、波長300nm以上500nm未満の範囲におけるフォトルミネッセンスの最大強度との比が、0.1以上10以下である。 - 特許庁

In a step S106, a photoluminescence spectrum intensity of the yellow band wavelength band and the band edge wavelength is compared with a reference value to select the epitaxial substrate and produce a selected epitaxial substrate E1.例文帳に追加

工程S106では、イエローバンド波長帯およびバンド端波長のフォトルミネッセンススペクトル強度を基準値と比較することによってエピタキシャル基板を選別して、選別済みエピタキシャル基板E1を作製する。 - 特許庁

Since carbon nanotube does not emit photoluminescence in its aggregated state, it is possible to recognize the progress of aggregation from reduction in the intensity over the lapse of time.例文帳に追加

カーボンナノチューブは凝集した状態ではフォトルミネッセンスを発しないため、時間経過に伴う強度の低下状態により凝集化の進行を把握することができる。 - 特許庁

By using the strong excitation micro photoluminescence method, each intensity of photoluminescence light emitted from an evaluated semiconductor silicon wafer and from the non-contaminated portion of a reference semiconductor silicon wafer is measured and compared, and thus Cu contamination in the semiconductor silicon wafer is evaluated.例文帳に追加

強励起顕微フォトルミネッセンス法を用い、評価対象の半導体シリコンウェーハと参照半導体シリコンウェーハの汚染のない部分とから発光されるフォトルミネッセンス光の光強度を測定して比較することにより当該半導体シリコンウェーハ中のCu汚染を評価するようにした。 - 特許庁

例文

The amorphous or polycrystalline oxide semiconductor layer to be inspected is irradiated with pumping light 2, and the intensity of photoluminescence light 4, in a wavelength range longer than a wavelength corresponding to band-gap energy, of light emitted from the oxide semiconductor layer to be inspected is measured.例文帳に追加

検査しようとする非晶質又は多結晶性の被検査酸化物半導体層に対して励起光2を照射し、被検査酸化物半導体層から放出される光のうち、バンドギャップエネルギーに対応する波長よりも長い波長領域のフォトルミネッセンス光4の強度を測定する。 - 特許庁

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「photoluminescence intensity」の意味に関連した用語

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