planar photodiodeとは 意味・読み方・使い方

The present invention includes a planar avalanche photodiode, having a first n-type semiconductor layer defining a planar contact area and a second n-type semiconductor layer having a p-type diffusion region.例文帳に追加

本発明は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層とｐ型拡散領域を有する第２のｎ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 - 特許庁

A photodiode chip 2, having a backside incident photodiode and a photodiode top transmission line 8 and a planar antenna chip 10, having an antenna pattern 16 and an antenna chip to transmission line 18, are counterpoised and connected by flip-chip bonding.例文帳に追加

裏面入射型フォトダイオード及びフォトダイオード上伝送路８を形成したフォトダイオードチップ２と、アンテナパタン１６及びアンテナチップ上伝送路１８を形成した平面アンテナチップ１０とを、フォトダイオード上伝送路８とアンテナチップ上伝送路１８を向かい合わせて、フリップチップボンディングで接続する。 - 特許庁

A further embodiment includes a planar avalanche photodiode having the first n-type semiconductor layer defining the planar contact area, the n-type semiconductor multiplication layer, the n-type semiconductor absorption layer and a p-type semiconductor layer electrically coupled to the p-type contact layer.例文帳に追加

さらなる実施形態は、プレーナ接触領域を定める第１のｎ型半導体層と、ｎ型半導体多重層と、ｎ型半導体吸収層と、ｐ型接触層に電気的に結合されたｐ型半導体層とを有するプレーナ・アバランシェ・フォトダイオードを備える。 - 特許庁

Preferably, a recessed pattern 28 is formed in the planar antenna chip 10, etc., to ensure a gap G between the surface of the photodiode top transmission line 8 and an antenna board surface.例文帳に追加

好ましくは、平面アンテナチップ１０に窪地パタン２８を形成する等で、フォトダイオード上伝送路８の表面とアンテナ基板の表面との間Ｇに間隙を確保する。 - 特許庁

The optical transmitting/receiving module 10 comprises: a single-core multimode polymer optical waveguide 14 having a Y-branch 12; a planar light emitting semiconductor laser element 16 as a light source of the optical signal transmission apparatus disposed at one end of the Y-branch of the optical waveguide; and a photodiode 18 as a receiving element of the optical signal receiving apparatus disposed at the other end.例文帳に追加

本光送受信モジュール１０は、Ｙ分岐部１２を有する１芯のマルチモード高分子光導波路１４と、光導波路のＹ分岐部の一方の端部に光信号送信装置の光源として設けられた面発光半導体レーザ素子１６と、他方の端部に光信号受信装置の受信素子として設けられたフォトダイオード１８とを備える。 - 特許庁