polysilicon resistanceとは 意味・読み方・使い方

The diffusion resistance element RA and the polysilicon resistance element RB are electrically connected in series.例文帳に追加

拡散抵抗素子部ＲＡとポリシリコン抵抗素子部ＲＢとは電気的に直列に接続されている。 - 特許庁

To suppress variations in the resistance value of high-resistance polysilicon by preventing plasma damages to the polysilicon, when a contact is established with te polysilicon.例文帳に追加

高抵抗のポリシリコンとコンタクトを取る際に、ポリシリコンへのプラズマダメージを防止するようにし、もって、そのポリシリコンの抵抗値のばらつきを抑えること。 - 特許庁

This method includes a process of removing a pad polysilicon layer (a first polysilicon layer) which is not carried out prior to the formation of a resistance layer, and the resistance layer 10 is formed through ion implantation while leaving this polysilicon layer as is.例文帳に追加

抵抗層形成前のパッド・ポリシリコン層（第１のポリシリコン層）（３）の除去工程を行わず、このパッド・ポリシリコン層（３）を残したまま、抵抗層（１０）をイオン注入にて形成する。 - 特許庁

To prevent the operating speed from falling by reducing interface resistance on the polysilicon/metal interface of a polysilicon/metal laminated electrode structure.例文帳に追加

ポリシリコン／メタル積層電極構造のポリシリコン／メタル界面における界面抵抗を低減し、動作速度の低下を防止する。 - 特許庁

On a field oxide film 2, there are a high-resistance polysilicon film 4b for constituting the resistance element; low-resistance polysilicon films 9a, 9b formed at both the ends of the film 4b; a silicon nitride film 5a formed on the high-resistance polysilicon film 4b; and high-melting-point metal polycide films 7b formed on the low- resistance polysilicon films 9b.例文帳に追加

フィールド酸化膜２上に抵抗素子を構成する高抵抗ポリシリコン膜４ｂ、その両端に低抵抗ポリシリコン膜９ｂ，９ｂ、高抵抗ポリシリコン膜４ｂ上にシリコン窒化膜５ａ及び低抵抗ポリシリコン膜９ｂの上に高融点金属ポリサイド膜７ｂが形成されている。 - 特許庁

The integrated circuit uses an upper polysilicon layer 6, corresponding to upper electrodes of two-layer polysilicon capacitor elements as resistance elements composed of polysilicon resistors R1-R4.例文帳に追加

２層ポリシリコン容量素子における上部電極に相当する上層ポリシリコンレイヤ６をポリシリコン抵抗Ｒ１〜Ｒ４からなる抵抗素子として使用するようにした。 - 特許庁

A first wiring 10 of aluminum is formed apart from an the polysilicon film 6, and a low-resistance polysilicon resistor element 30 is provided between the first wiring 10 and the polysilicon film 6.例文帳に追加

ポリシリコン膜６と離間してアルミニウムよりなる第１の配線１０を配設し、第１の配線１０とポリシリコン膜６との間に低抵抗のポリシリコンよりなる抵抗要素３０を設けてある。 - 特許庁

Further, the polysilicon film for constituting the resistance element is etched simultaneously with the film provided above this polysilicon film based on the measured result of the resistivity of the polysilicon film by using the monitor pattern 7.例文帳に追加

また、モニタパターン７を使ったポリシリコン膜の抵抗率の測定結果に基づいて、抵抗素子を構成するポリシリコン膜を、このポリシリコン膜よりも上方に設けられる膜と同時にエッチングする。 - 特許庁