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power for plasma heatingとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 プラズマ加熱用大電力
「power for plasma heating」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
To provide a plasma heating device, of which, the volume of current supplied for heating is made big, and the power supplied for heating is increased by raising the arc voltage.例文帳に追加
プラズマ加熱装置の加熱に供する電流を大容量化すると共に、アーク電圧を上昇させて加熱に供する電力を向上させる。 - 特許庁
To provide a plasma arc heating device for molten metals inside a tundish which can prevent power feeding circuits from burning out.例文帳に追加
給電回路が焼損する事態の発生を防止することができる、タンディッシュ内溶融金属のプラズマアーク加熱装置を提供。 - 特許庁
AC-RF SEPARATION FILTER OF HIGH AC AND HIGH RF POWER FOR HEATING ELECTROSTATIC CHUCK OF PLASMA REACTOR例文帳に追加
プラズマリアクタの加熱静電チャックのための高AC電流、高RF電力なAC−RF分離フィルタ - 特許庁
The silicon ring is arranged on the periphery of a wafer on the side of an electrode for mounting the wafer in a plasma treating system, provided with a power supply section and has self-heating function, and the plasma treating system is provided with the silicon ring.例文帳に追加
プラズマ処理装置内のウェーハを載置する電極側で、ウエーハの周辺に配置されるシリコンリングであって、給電部が設けられ、自己発熱する機能を有するシリコンリングおよび該リングを備えたプラズマ処理装置。 - 特許庁
The plasma CVD apparatus which supplies microwave electric power into a reaction chamber 1 arranged inside the annular waveguide 5, from the annular waveguide 5, and generates plasma inside the above reaction chamber 1 for treating an article with plasma, is characterized by arranging a heating device 15 for heating the above reaction chamber 1, on a side of the above annular waveguide 5.例文帳に追加
環状の導波管5により、該環状導波管5の内側に配置された反応室1に、マイクロ波電力を供給し、前記反応室1内部にプラズマを生じせしめてプラズマ処理するプラズマCVD装置において、前記環状導波管5の側方に、前記反応室1を加熱する加熱装置15が設けられている。 - 特許庁
To prevent dust from falling onto workpieces by cooling wind generated by fans to a heating part such as magnetrons and power supply parts in a plasma generating device used for reforming or the like of a substrate.例文帳に追加
基板の改質等に使用されるプラズマ発生装置において、マグネトロンやその電源部などの発熱部位に対するファンの冷却風によるワークへの埃の落下を防止する。 - 特許庁
In this case, the load for heating the focus ring substantially acts as the load to a high-frequency power source 28 in place of the load for plasma generation, and a matching device 32A is operated to put its load into an impedance matching in regard to the high-frequency power source 28.例文帳に追加
この場合、プラズマ生成用負荷に置き換わってフォーカスリング加熱用負荷が高周波電源28に対して実質上の負荷となり、整合器32Aは高周波電源28に対してその負荷をインピーダンス整合させるように動作する。 - 特許庁
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「power for plasma heating」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
This plasma treatment device 1 includes: a treatment chamber 11; a base 15 whereupon a silicon substrate K is to be mounted; a gas supply device 23 for supplying a treatment gas into the treatment chamber 11; a coil 26; a high-frequency power supply 27 for the coil; and a heating apparatus 30 for heating an annular member 13a of the treatment chamber 11.例文帳に追加
プラズマ処理装置1は、処理チャンバ11と、シリコン基板Kが載置される基台15と、処理ガスを処理チャンバ11内に供給するガス供給装置23と、コイル26と、コイル用高周波電源27と、処理チャンバ11の環状部材13aを加熱する加熱装置30とを備える。 - 特許庁
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