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punch‐throughの英語

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JST科学技術用語日英対訳辞書での「punch‐through」の英訳

punch‐through

パンチスルー; つき抜け現象; つきぬけ現象

「punch‐through」を含む例文一覧

該当件数 : 163



例文

To provide a semiconductor device preventing punch-through.例文帳に追加

半導体装置におけるパンチスルーを防ぐ。 - 特許庁

To prevent punch-through effect between elements, the p+ type punch-through preventing region 6 is also formed directly under an insulation separation layer 10.例文帳に追加

また、p^+ 型パンチスルー防止領域6は、素子間のパンチスルー防止のため、絶縁分離層10の直下にも形成される。 - 特許庁

To provide an insulated gate semiconductor device that can prevent punch-through.例文帳に追加

パンチスルーを防止することができる絶縁ゲート型半導体装置を得る。 - 特許庁

To form a side wall without causing damage to a substrate and inducing boron punch-through.例文帳に追加

基板ダメージ、ボロン突き抜けなく、サイドウォールを形成する。 - 特許庁

MOSFET HAVING TWO-STAGE GATE ELECTRODE INHIBITING OCCURRENCE OF PUNCH-THROUGH PHENOMENON例文帳に追加

パンチスルー現象の発生を抑制する、二段式ゲート電極を有するMOSFET - 特許庁

To improve latch up resistance and punch-through resistance in an epitaxial wafer.例文帳に追加

エピタキシャルウェハにおいて、ラッチアップ耐性およびパンチスルー耐性を向上させる。 - 特許庁

例文

A p+ type punch-through stopper 5 may be formed directly under an n type first semiconductor region 4.例文帳に追加

n型第1半導体領域4直下には、p^+ 型パンチスルーストッパ5を形成してもよい。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「punch‐through」の英訳

punch-through

パンチスルー,突抜け現象,つきぬけ現象

クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「punch‐through」の英訳

punch through


punch-through


punchthrough

パンチスルー

Weblio例文辞書での「punch‐through」に類似した例文

punch through

Weblio例文辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「punch‐through」を含む例文一覧

該当件数 : 163



例文

To provide the manufacturing method of a semiconductor device which suppresses a punch-through phenomenon.例文帳に追加

パンチスルー現象を抑えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT TRANSISTOR COMPRISING SEPARATED PUNCH THROUGH PREVENTING FILM AND METHOD FOR FORMING IT例文帳に追加

分離されたパンチスルー防止膜を有する集積回路トランジスタ及びその形成方法 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device avoiding a degradation of punch through characteristics.例文帳に追加

パンチスルー特性の劣化を回避可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

This array of the regions 11-14 forms a thyristor structure such that triggering is made by punch-through.例文帳に追加

この領域11〜14の並びはパンチスルーによりトリガがかかるサイリスタ構造となっている。 - 特許庁

A punch through stopper layer may be provided in order to lower the current gain furthermore.例文帳に追加

さらに電流利得を下げるために、パンチスルーストッパー層を設けてもよい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a Fin FET whose punch-through is suppressed.例文帳に追加

パンチスルーが抑制されたフィンFETを備えた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing on-resistance while preventing the occurrence of punch-through.例文帳に追加

パンチスルーの発生を抑制しつつオン抵抗を低減することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

The MOS field effect transistor having electric field relaxation layers 107A and 107B and a punch-through stopper layer 108 in gate-overlap structure symmetrically with the gate electrode 103 is provided with a P-type layer 110 of an opposite conductivity type from the N-type punch-through stopper layer 108 on a surface of the punch-through stopper layer 108 to have no rise in threshold voltage.例文帳に追加

ゲート電極103と対称的にゲートオーバーラップ構造の電界緩和層107A、107Bとパンチスルーストッパー層108を有するMOS電界効果トランジスタにおいて、N型パンチスルーストッパー層108の表面に、このパンチスルーストッパー層108とは反対導電型のP型層110を設け、しきい値電圧が上昇しないようにしたもの。 - 特許庁

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