punch-through currentとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device having a structure capable of not only suppressing a punch-through current but also reusing a silicon wafer for pasting in manufacturing the semiconductor device using an SOI technique; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＳＯＩ技術を用いて半導体装置を作製する上で、パンチスルー電流を抑えるだけでなく、貼り合わせに用いるシリコンウエハーの再利用を実現できる構造を有する半導体装置、およびその作製方法を提供する。 - 特許庁

The current of CMOS can inexpensively made large, and punch through resistance and fining are also inexpensively realized without complicating the number of processes.例文帳に追加

これにより特に微細ＰＭＯＳの大電流化と耐パンチスルー化、微細化が達成されるが同時にＮＭＯＳにも適用でき、従ってＣＭＯＳの大電流化と耐パンチスルー化、微細化が工程数の煩雑化無しに、従って廉価に達成できる。 - 特許庁

In the static induction thyristor 14, the impurity concentration or thickness in a base region and a buffer layer region is determined so that a peak voltage V_D attained by a peak current I_p in a punch-through status does not exceed a withstand voltage of the static induction thyristor 14.例文帳に追加

SIThy１４は、パンチスルー状態となるピーク電流Ｉ_ｐによって実現されるピーク電圧Ｖ_ＤがSIThy１４の耐電圧を超えないようにベース領域とバッファ層領域の不純物濃度や厚みが決定される。 - 特許庁

To provide a punch-through compensating circuit capable of reducing charge migration between the capacitance that a thin film transistor floating a capacitor has to a circuit node and the capacitor, and a leak current between the capacitor and the circuit node.例文帳に追加

回路節点に対してキャパシタをフローティングにする薄膜トランジスタがもつ容量とキャパシタとの間での突き抜けならびにキャパシタと回路節点の間でのリーク電流を低減させる。 - 特許庁

To provide a thin film transistor substrate of high process efficiency along with its manufacturing method, with no performance degradation such as dropping of a punch through voltage and increase in leakage current.例文帳に追加

パンチスルー電圧の低下、漏洩電流の増加などの性能低下がなく、工程効率が良い薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since a barrier, which is formed by the depletion region, enhances more the current stopping power of the P-N junction part between a body and the drain, a P-type body region can be shallow formed by a low-concentration doping, without generating the problem of punch through.例文帳に追加

空乏領域によって生成されるバリヤがボディ−ドレイン間ＰＮ接合部の電流阻止能力を一層高めるので、Ｐ型ボディ領域を、パンチスルーの問題を生じさせずに低濃度ドープで浅く作ることができる。 - 特許庁

Thus, even if the punch-through stopper layer 7 having a function to prevent a short channel effect is provided while a control gate of a non-selected memory cell is applied with a negative voltage to suppress a leak current at writing, the drain-disturb phenomenon is prevented.例文帳に追加

これにより、短チャネル効果を防ぐ機能を有するパンチスルーストッパ層７を設け、さらに書き込み時のリーク電流を抑えるために非選択メモリセルの制御ゲートに負電圧を印加しても、ドレインディスターブ現象を防止することが可能となる。 - 特許庁

To provide a high withstanding voltage transistor wherein the current caused by impact ion is reduced by suppressing generation of hot carrier, punch through is also reduced, and a stable threshold value is provided, resulting in providing a sufficient breakdown voltage with low on-resistance.例文帳に追加

ホットキャリアの生成を可及的に抑制してインパクトイオンによる電流を減少させ、パンチスルーが少なく安定した閾値を得ることができ、オン抵抗の低い十分な耐圧を得ることを可能とする高耐圧トランジスタを実現する。 - 特許庁