rare gas targetとは 意味・読み方・使い方

The ionized particles of rare gas such as argon are collided against a target material 4 of titanium or the like having suitable mechanical properties and excellent corrosion resistance and the target particles 3 are sputtered from the surface.例文帳に追加

イオン化されたアルゴン等の希ガス粒子が、チタン等の適度な機械的性質と耐食性に優れたターゲット材４に衝突し、ターゲット粒子３が表面からスパッタされる。 - 特許庁

A nitrogen-substituted lithium phosphate thin film as a solid electrolyte thin film is manufactured by a sputtering method by supplying a rare gas and nitrogen gas under pressure of 0.1-1.0 Pa by using a target made of lithium phosphate sintered body.例文帳に追加

スパッタリング法により、リン酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、希ガス及び窒素ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、固体電解質薄膜としての窒素置換リン酸リチウム薄膜を製造する。 - 特許庁

The oxygen introduced Al thin film 12a is deposited by using a physical vapor deposition method utilizing glow discharge using a pure Al target, and controlling an oxygen flow rate with respect to a rare gas flow rate in its deposition atmosphere.例文帳に追加

酸素導入Ａｌ薄膜１２ａは、純Ａｌターゲットを用い、グロー放電を利用した物理蒸着法を用い、その成膜雰囲気において希ガス流量に対して酸素流量を制御することにより成膜される。 - 特許庁

In the film deposition method for depositing a tungsten film on a substrate S by sputtering a target T containing tungsten by using a rare gas, the film deposited tungsten film contains a nickel oxide by using the target T containing nickel.例文帳に追加

タングステンを含有するターゲットＴを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板Ｓに形成する成膜方法において、ターゲットＴとしてニッケルを含有するものを用いることで、成膜されたタングステン膜はニッケル酸化物を含有する。 - 特許庁

The LaB_6 film having superior crystallinity can be obtained by an operation of sputtering an LaB_6 target in such an atmosphere that 0.01-5 vol.% of nitrogen gas is added to argon, when the LaB_6 film is formed on a substrate formed from tungsten or molybdenum and a material containing an oxide of a rare-earth element, with the sputtering process.例文帳に追加

タングステン又はモリブデンと、希土類元素の酸化物を含む材料からなる基体にスパッタリングによってＬａＢ_６膜を成膜する際、アルゴンに窒素ガスを０．０１〜５体積％添加した雰囲気でＬａＢ_６ターゲットのスパッタリングを行うことにより、結晶性の優れたＬａＢ_６膜が得られる。 - 特許庁

In manufacturing a semiconductor device including a barrier metal layer in which a metal compound layer is sandwiched between two metal layers, a first metal layer which is to be a bottom layer is applied with oxidation treatment during a process in which a target consisting of one metal element out of titanium and tantalum is sputtered in the atmosphere of rare gas so that a plurality of metal layers are stacked on a background wiring.例文帳に追加

２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。 - 特許庁

This manufacturing method includes the steps of: preparing a mixture powder of an R-Co alloy powder which is an alloy powder of Co and R that is a rare-earth metal and a Ta powder so that the composition of the target comprises 5-10 atom% R, 5-10 atom% Ta and the balance Co with unavoidable impurities by a ratio; and hot-pressing the mixture powder in a vacuum or an inert-gas atmosphere.例文帳に追加

希土類金属をＲとしてＲ：５〜１０原子％、Ｔａ：５〜１０原子％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなるターゲット組成となる割合で、ＣｏとＲとの合金粉末であるＲ−Ｃｏ合金粉と、Ｔａ粉と、の混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有している。 - 特許庁