residual stress relaxationとは 意味・読み方・使い方

This knitted fabric for swimsuit has ≥15% residual strain in 80% recovery of elongation of the knitted fabric and ≥0% and ≤50% stress relaxation ratio in 30% elongation.例文帳に追加

弾性繊維を含まない水着用編地であって、編地の８０％伸長回復における残留歪が１５％以下であり、３０％伸長時の応力緩和率が０％以上５０％以下であることを特徴とする水着用編地。 - 特許庁

An apparatus and method is disclosed which allows for stress relaxation in the substrate prior to further patterning to reduce, minimize or prevent such misalignment from residual strain.例文帳に追加

残留ひずみによるこのようなミスアライメントを低減させ、最小化し、または防止するために次のパターニングの前に基板内の応力緩和を可能にする装置および方法を開示する。 - 特許庁

Then the compressive stress relaxation rate of the elastic layer 2 is 0 to 7%, the residual compressive strain rate of the elastic layer 2 is 0 to 5%, and the durometer hardness of the surface layer 3 is A1/15 to A80/15.例文帳に追加

そして、弾性層２の圧縮応力緩和率を０〜７％とするとともに、弾性層２の残留圧縮歪率を０〜５％とし、表面層３のデュロメータ硬さをＡ１／１５〜Ａ８０／１５とする。 - 特許庁

The sensor is exposed for a definite time in a high-temperature environment, it is taken out, a relaxation amount which is calculated by measuring the residual stress of the creep deformation body is compared with a known creep deformation curve, and an exposure temperature is found.例文帳に追加

前記センサを高温環境下に一定時間曝露し、取出した後にクリープ変形体の残留応力を計測して算出されるリラクセーション量から、既知であるクリープ変形カーブと比較して曝露温度を求める。 - 特許庁

To provide a package for storing a semiconductor element which reduces a use quantity of Kovar, while having a relaxation effect of the residual stress of the same degree as the package for storing the semiconductor element using the Kovar and a light modulator using the package for storing the semiconductor element.例文帳に追加

従来のコバールを用いた半導体素子収納用パッケージ及びそれを用いた光変調器と同程度残留応力の緩和効果を有しながらコバールの使用量を低減した半導体素子収納用パッケージを提供する。 - 特許庁

To provide a GaAs single crystal wafer reduced in the influence of the warp of the wafer itself and the nonuniformity of wafer in-plane temperature for the thermal treatment in a device manufacturing process using the wafer, and generating no slip defects, which needs no relaxation of the residual stress by incorporation of dislocation, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁