sapphire laserとは 意味・読み方・使い方

After that, the sapphire substrate 10 is separated for removal by laser lift-off to remove the resist film 15.例文帳に追加

その後、レーザーリフトオフによりサファイア基板１０を分離除去し、レジスト膜１５を除去する。 - 特許庁

The sapphire substrate 1 can be detached from the lamination part 10 by irradiation of strong laser.例文帳に追加

その後、強いレーザの照射によって、サファイア基板１を積層部１０から分離させることもできる。 - 特許庁

Related to a semiconductor laser element 100, layers 2-10 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上に各層２〜１０が順に形成されてなる。 - 特許庁

A method for manufacturing the sapphire substrate comprises a step of forming the through hole only by a step of selectively irradiating the substrate with a laser.例文帳に追加

サファイア基板にレーザを選択的に照射する工程のみによって貫通孔を形成する。 - 特許庁

Further, the first laser beam is the sum frequency of emission beam from titanium sapphire laser and the second laser beam.例文帳に追加

また、第１のレーザ光は、チタンサファイアレーザからの出射光と第２のレーザ光との和周波である。 - 特許庁

Namely, the processed object is first pre-heated by the YAG laser 10 and then processed by the titanium sapphire laser (femto-second laser) 11.例文帳に追加

ＹＡＧレーザ１０により被加工物を予熱してからチタンサファイアレーザ（フェムト秒レーザ）１１により加工する。 - 特許庁

A sapphire wafer 1 is divided along a predetermined dividing line by concentrating a pulse laser with a wavelength, which is transmitted through sapphire along the predetermined dividing line from the rear face side of the sapphire wafer 1 into the inside of the sapphire wafer 1, and irradiating it; after forming a modified layer 30 inside, forming a reflection film 31 on the rear face side of the sapphire wafer 1; and then applying an external force to the modified layer 30.例文帳に追加

サファイアウェーハ１の裏面側から分割予定ラインに沿ってサファイアを透過する波長のパルスレーザをサファイアウェーハ１の内部に集光して照射し、内部に改質層３０を形成した後、サファイアウェーハ１の裏面側に反射膜３１を形成し、その後、改質層３０に外力を加えることによってサファイアウェーハ１を分割予定ラインに沿って分割する。 - 特許庁

In detailed words, the layer is irradiated with laser light once and, when an interface to a sapphire substrate of the GaN layer becomes gallium (Ga), it is irradiated with laser light again through the sapphire substrate.例文帳に追加

詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 - 特許庁