semiconductor‐type structureの英語

THIN FILM MEMBRANE STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR-TYPE THIN FILM GAS SENSOR例文帳に追加

薄膜メンブレン構造体及び半導体式薄膜ガスセンサ - 特許庁

To provide a semiconductor type light source unit which is reduced in the number of components to reduce a manufacturing cost and to have a simple structure.例文帳に追加

部品点数が少なくて済み、製造コストを安価にすることができ、構造が簡単である、半導体型光源ユニットを提供する。 - 特許庁

The light-receiving transistor Tr21 and the holding capacitance element C1 are each formed by a MOS (Metal Oxide Semiconductor) type structure.例文帳に追加

受光用トランジスタＴｒ２１および保持容量素子Ｃ１はそれぞれ、ＭＯＳ型構造により形成されている。 - 特許庁

To efficiently separate a metal type CNT (Carbon NanoTube) and a semiconductor type CNT from a CNT mixture containing those, and to separate semiconductor type CNTs for each structure, with high yield, in a short period of time, with inexpensive equipment, easily and by a method achieving extensive treatment and automatic treatment.例文帳に追加

金属型ＣＮＴと半導体型ＣＮＴを含むＣＮＴ混合物から両者を効率的に分離し、なおかつ、半導体型のＣＮＴを構造ごとに、高収率、短時間、安価な設備で、簡便に、大量処理、自動処理も可能な方法で分離する。 - 特許庁

To provide a structure reduced in variation of temperature characteristic in a semiconductor type sensor using a stacking structure of a semiconductor sensor chip and a circuit chip.例文帳に追加

半導体センサチップと回路チップとを積層した構造を用いた半導体式センサにおいて、温度特性のばらつきを低減した構造を提供すること。 - 特許庁

To provide an MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor) type nonvolatile semiconductor memory device of a source side injection (SSI) method, in which a memory cell structure is simplified for easy manufacturing and the number of voltages applied at operation is reduced for easy control.例文帳に追加

ソースサイド注入（ＳＳＩ）方式のＭＯＮＯＳ（Metal-Oxide-Nitride-Oxide Semiconductor）型不揮発性半導体メモリ装置において、メモリセル構造を単純化して製造を容易にし、更に、動作時に印加する電圧の数を減らして制御を容易にする。 - 特許庁

In the semiconductor type gas sensing element equipped with a gas responsing layer 5 covering detection electrodes 2 and 3 and provided so as to freely come into contact with the gas to be sensed, the gas responsing layer 5 is formed into a porous structure, wherein constituent particles are gathered, composed of core particles 51a and a fine particle layer 51b of a metal oxide covering the surfaces of the core particles 51a.例文帳に追加

検出電極２，３を覆うと共に被検知ガスと接触自在に設けられたガス感応層５を備えた半導体式ガス検知素子であって、ガス感応層５を、コア粒子５１ａと、コア粒子５１ａの表面を覆う金属酸化物の微粒子層５１ｂとからなる構成粒子が集合したポーラス構造に形成してある。 - 特許庁