semiconductor energy gapとは 意味・読み方・使い方

A semiconductor layer or at least one portion of a semiconductor substrate comprises a semiconductor region having a large energy gap.例文帳に追加

半導体層若しくは半導体基板の少なくとも一部がエネルギーギャップの大きな半導体領域で構成する。 - 特許庁

A lattice constant of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is small than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103, while a band-gap energy of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is larger than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103.例文帳に追加

また、第２半導体層１０２を構成する第１窒化物半導体は、第３半導体層１０３を構成する第２窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。 - 特許庁

The average In composition ratio of a pair of high band-gap energy layer and a low band-gap energy layer is higher on the second semiconductor layer side than on the first semiconductor layer side.例文帳に追加

高バンドギャップエネルギー層と、それに接する低バンドギャップエネルギー層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。 - 特許庁

A semiconductor layer 12 of GaN or the like having a band gap is provided on a substrate 11, and by irradiating with an X-ray having energy higher than barrier energy of the band gap, light is emitted at the semiconductor layer 12.例文帳に追加

基板１１上にバンドギャップを有するＧａＮ等の半導体層１２を有し、そのバンドギャップの障壁エネルギ以上のＸ線を照射することで、前記半導体層１２において発光することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor film of the etching area 14 is etched by emitting to this substrate light with band gap energy smaller than that of the semiconductor film 13, and energy larger than the band gap energy of the bottom semiconductor film 13.例文帳に追加

この基板に半導体膜１３のバンドギャップエネルギーよりも小さく、かつ下地半導体膜１２のバンドギャップエネルギーよりも大きいエネルギーを有する光を照射することにより、エッチング領域１４の半導体膜をエッチングする。 - 特許庁

The energy gap from the vacuum level to the Fermi level of the second oxide semiconductor is larger than that of the first oxide semiconductor.例文帳に追加

第２の酸化物半導体の真空準位からフェルミレベルまでのエネルギー差は第１の酸化物半導体のものよりも大きい。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device comprising a desired compound semiconductor layer whose band gap energy Eg is smaller than ZnO.例文帳に追加

ＺｎＯよりもバンドギャップエネルギーＥｇの小さい所望の化合物半導体層を備えた光半導体素子を得るようにする。 - 特許庁

The photon inhibition layer 13 is a direct band gap having a band gap energy smaller than the low end of an energy spectrum of a common light source used for a semiconductor manufacturing facility (generally, smaller than 1.7eV).例文帳に追加

本発明のこの光子阻止層１３は、半導体製造設備に使用される一般的な光源のエネルギースペクトルの低い端より小さい（一般に１.７ｅＶより小さい）バンドギャップエネルギーを有する直接バンドギャップである。 - 特許庁