semiconductor rectifier elementとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device having electrical characteristics such as high breakdown voltage, low reverse saturation current, and high on-current, especially a power diode including a non-linear element and a rectifier.例文帳に追加

高耐圧、低逆方向飽和電流、高いオン電流などの電気特性を有する半導体装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a rectifier circuit capable of suppressing degradation or dielectric breakage of a semiconductor element under overcurrents.例文帳に追加

過電流による半導体素子の劣化または絶縁破壊を抑えることができる、整流回路の提供を課題とする - 特許庁

The rectifier circuit further comprises a cut-off circuit 5 for eliminating input of the control signal to the element 7 when the power source is stopped to be operated, and an auxiliary semiconductor switching element 18 for turning off the element 17.例文帳に追加

電源が動作を停止する際に、制御信号が主スイッチ素子７に入力されないようにする遮断回路５と、転流用半導体スイッチ素１７をオフさせる補助半導体スイッチ素子１８を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing an increase of reverse current in a rectifier element, and capable of preventing diffusion of impurities such as fluorine and hydrogen to a memory element.例文帳に追加

整流素子における逆方向電流の増大を抑制できると共に、メモリ素子へのフッ素や水素等の不純物の拡散を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To impart a pressing force uniformly and surely to a semiconductor element and a rectifier element and to enhance heat dissipation through a compact arrangement.例文帳に追加

半導体素子および整流素子に均一な加圧力を確実に付与するとともに、コンパクトな構成でかつ放熱性の向上を図ることを可能にする。 - 特許庁

The rectifier element 10 includes an n^- semiconductor layer 2 consisting of a wide band gap semiconductor; Schottky electrodes 3 and 5 forming Schottky contact with the n^- semiconductor layer 2; and a cathode electrode 4 capable of applying potential different from that of the Shottky electrode 5 and electrically connected to the n^- semiconductor layer 2.例文帳に追加

整流素子１０は、ワイドバンドギャップ半導体よりなるｎ^-半導体層２と、ｎ^-半導体層２にショットキー接触したショットキー電極５およびショットキー電極３と、ショットキー電極５とは異なる電位を印加可能であるカソード電極４とを備えている。 - 特許庁

A rectifier element layer 21 includes: a semiconductor layer 24; an electrode layer 23 provided on one end side of the semiconductor layer 24; an electrode layer 26 provided on the other end side of the semiconductor layer 24; and an electrode layer 25 provided between the electrode layer 26 and the semiconductor layer 24.例文帳に追加

整流素子層２１は、半導体層２４と、半導体層２４の一端側に設けられた電極層２３と、半導体層２４の他端側に設けられた電極層２６と、電極層２６と半導体層２４の間に設けられた電極層２５とを備える。 - 特許庁

By forming the contact holes in this manner, wiring resistance between the diode and the terminal can be reduced and the entire semiconductor film of the diode can effectively function as a rectifier element.例文帳に追加

このようにコンタクトホールを形成することで、ダイオードと端子間の配線抵抗を低減し、かつダイオードの半導体膜全体を整流素子として有効に機能させることができる。 - 特許庁