semiconductor signal diodeとは 意味・読み方・使い方

When the signal/BD becomes the L level with respect to the laser light from the second semiconductor laser diode LD2, the booting of the second semiconductor laser LD2 is completed.例文帳に追加

そして第２半導体レーザＬＤ２からのレーザ光に対して／ＢＤ信号がＬレベルになったとき、第２半導体レーザＬＤ２の立ち上げが完了する。 - 特許庁

The apparatus comprises a means for converting, to a photometric signal, photo current flowing through a semiconductor layer forming an electrode on a side opposite to a signal charge storage electrode of a photo diode 2.例文帳に追加

フォトダイオード２の信号電荷蓄積電極とは反対側の電極を形成する半導体層に流れる光電流を測光信号に変換する変換手段を具備する。 - 特許庁

When the temperature of the diode 3 detected becomes higher than a protection control start temperature, the forward voltage Vf of the diode 3 becomes lower than the threshold voltage Vth of a threshold-producing circuit 13 and a comparator 9 outputs an overheat-detecting signal of L level, while an MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) 2 goes into a current cut-off state.例文帳に追加

ダイオード３の検出温度が保護制御開始温度よりも高くなると、ダイオード３の順方向電圧Ｖｆがしきい値生成回路１３のしきい値電圧Ｖthよりも低くなり、コンパレータ９はＬレベルの過熱検出信号を出力し、ＭＯＳＦＥＴ２は電流遮断状態となる。 - 特許庁

This semiconductor laser device is constituted of a laser diode 2 which outputs a laser beam 8, an optical fiber 3 which transmits the laser beam 8 from the laser diode 2, a light receiving element 4 which detects the leakage light 9 from the optical fiber 3, and a means 5 for stabilizing the quantity of light which receives a signal 7 from the light receiving element 4.例文帳に追加

レーザ光８を出射するレーザダイオード２と、レーザダイオード２からのレーザ光８を伝達する光ファイバ３と、光ファイバ３からの漏れ光９を検出する受光素子４と、受光素子４からの信号７を受ける光量安定化手段５から構成する。 - 特許庁

A semiconductor relay circuit 3a is turned on by an output signal of the diode detection circuit 2a to supply electric power from an AC/DC conversion circuit 3b to a physical layer LSI 4a.例文帳に追加

ダイオード検波回路２ａの出力信号で、半導体リレー回路３ａをＯＮにし、ＡＣ／ＤＣ変換回路３ｂから物理層ＬＳＩ４ａに電力を供給する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises lead members 1, 2, an IGBT 3, a diode 4, spacers 5-8, a signal terminal 9, wire 11, and a molded resin 12.例文帳に追加

半導体装置１０は、リード部材１，２と、ＩＧＢＴ３と、ダイオード４と、スペーサ５〜８と、信号端子９と、ワイヤ１１と、モールド樹脂１２とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and its fabricating method, in which a signal processing transistor can be formed without being influenced by the forming conditions of a PIN diode for photoelectric conversion and the characteristics of the transistor can be adjusted easily.例文帳に追加

光電変換用ＰＩＮダイオードの形成条件に影響されることなく、信号処理用のトランジスタを形成することが可能で、トランジスタの特性調整が容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a control circuit of a semiconductor device containing a diode whose impedance varies during an operation of the circuit and by easily obtaining an impedance matching with a signal power supply, so that a high performance operation can be achieved.例文帳に追加

ダイオードを含み、動作時にダイオードのインピーダンスが変化する半導体素子の制御回路において、信号電源とのインピーダンス整合が容易に得られるようにして、高速動作を実現できるようにする。 - 特許庁