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sensitivity of electron beam resistとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 電子線レジストのレジスト感度
「sensitivity of electron beam resist」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 30件
To solve the problem of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray and to provide a negative type resist composition for an electron beam or X-ray satisfying such characteristics as sensitivity and resist shape when an electron beam or X-ray is used.例文帳に追加
電子線又はX線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はX線の使用に対して感度とレジスト形状の特性を満足する電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁
To solve the problem of a performance enhancing technique in microfabrication of a semiconductor device using an electron beam or X-ray and to provide a negative type resist composition for an electron beam or X-ray satisfying such characteristics as sensitivity and resist shape when an electron beam or X-ray is used.例文帳に追加
電子線又はX線を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はX線の使用に対して感度とレジスト形状の特性を満足する電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
The sensitivity of a resist decreases until the accelerating voltage of an electron beam becomes about 50 kV but the sensitivity rises again at >50 kV and increases suddenly.例文帳に追加
レジスト感度は、電子線の加速電圧が50kV程度になるまでは低下するが、50kVより高くなると再び上昇し始め、急激に高くなる。 - 特許庁
To provide a positive resist composition and a resist pattern forming method capable of improving the sensitivity without deteriorating the resolution in lithography of a resist film with an ArF excimer laser, an F_2 excimer laser, an EUV, an electron beam, and the like.例文帳に追加
ArFエキシマレーザー、F_2エキシマレーザー、EUV又は電子線等によるレジスト膜のリソグラフィーにおいて、解像性を損なわずに感度を向上させることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供できる。 - 特許庁
To provide a copolymer for resist in which formation of micro-gel in a resist solution is suppressed and line edge roughness is small without impairing high sensitivity and resolving power of a resist when used for DUV excimer laser lithography, electron beam lithography, etc.例文帳に追加
DUVエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等に用いた場合に、レジストの高い感度および解像度が損なわれることなく、レジスト溶液中でのマイクロゲル生成が抑制され、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用共重合体を提供する。 - 特許庁
To provide a negative type resist composition for electron beams or X-rays excellent in sensitivity and resolving power even under the condition of a high accelerating voltage and excellent in beam shape reproducibility of a pattern.例文帳に追加
高加速電圧の条件においても、感度、解像力に優れ、且つパターンのビーム形状再現性に優れたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a resist polymer which has high sensitivity and resolution and causes only a small number of defects and a small degree of line edge roughness upon development, when used for a resist composition in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography, its manufacturing process, a resist composition containing the resist polymer and a patterning process using the resist composition.例文帳に追加
DUVエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等においてレジスト用組成物に用いた場合に、高感度、高解像度であり、現像時のディフェクトや、ラインエッジラフネスが小さいレジスト用重合体、その製造方法、レジスト用重合体を含むレジスト用組成物、および、このレジスト用組成物を用いたパターン製造方法を提供する。 - 特許庁
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「sensitivity of electron beam resist」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 30件
To provide a negative resist composition for an electron beam or X-ray having high sensitivity, ensuring improved roughness and excellent in PBD stability and correctitude of mark detection.例文帳に追加
高感度を有し、ラフネスが改善され、PBD安定性及びマーク検出適正に優れた電子線又はX線用ネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide an electron beam or X-ray resist composition having high sensitivity and high resolving power, excellent in PCD and capable of giving a pattern profile excellent in rectangularity.例文帳に追加
高感度、高解像力を有し、PCDに優れ、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができる電子線又はX線レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
To provide a negative type electron beam or X-ray resist composition having high sensitivity and high resolving power, capable of giving pattern profile with superior rectangularity and excellent in PCD and PED stability.例文帳に追加
高感度、高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができしかもPCD、PED安定性に優れたネガ型電子線又はX線レジスト組成物を提供することにある。 - 特許庁
To provide a positive type electron beam or X-ray resist composition having high sensitivity and high resolving power, capable of giving a pattern profile with superior rectangularity and excellent in PBD stability.例文帳に追加
高感度、高解像力を有し、矩形状の優れたパターンプロファイルを与えることができしかもPBD安定性に優れたポジ型電子線又はX線レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a negative type resist composition which has superior storage stability for resist liquid and post-exposure temporal stability as well as high sensitivity and high resolving power in pattern formation by irradiation with an electron beam or EUV in microprocessing of a semiconductor element.例文帳に追加
半導体素子の微細加工における性能向上及び技術の課題を解決することであり、電子線又はEUVの照射によるパターン形成において、高い感度及び解像度とともに、レジスト液の保存安定性及び引き置き経時安定性に優れたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a negative resist composition which satisfies such properties as sensitivity, resolving power, variation of sensitivity and line edge roughness when an electron beam or X-rays is used.例文帳に追加
活性光線又は放射線を使用するミクロファブリケーション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線又はX線の使用に対して感度、解像力性、感度変動率及びラインエッジラフネスの特性を満足するネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
To solve the problem of a performance enhancing technique proper to microfabrication using an active ray or radiation, particularly an electron beam or X-ray and to provide a chemically amplified negative resist composition which satisfies such characteristics as sensitivity, resolution and resist shape when an electron beam or X-ray is used.例文帳に追加
活性光線又は放射線、特に電子線又はX線を使用するミクロファブリケーション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、電子線又はX線の使用に対して感度と解像性・レジスト形状の特性を満足する化学増幅型ネガ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁
To provide a positive resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match step of exposure using at least two exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加
g線、i線、KrFエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、g線、i線、KrFエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも2種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
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