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silicon additionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 けい素添加
「silicon addition」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 235件
In addition, a method for manufacturing the silicon wafer uses the method for evaluating the silicon wafer.例文帳に追加
また、そのシリコンウェーハ評価方法を用いたシリコンウェーハ製造方法である。 - 特許庁
In addition, a second poly-silicon layer 8 is used as an upper layer electrode 10.例文帳に追加
また、上層電極10として第2のポリシリコン層8を用いている。 - 特許庁
An addition agent containing silicon such as silica is added to the hydrophilic paint.例文帳に追加
親水性塗料には、シリカ等のケイ素を含む添加剤が添加されている。 - 特許庁
In addition, the hard carbon film 103 is added with silicon (Si).例文帳に追加
加えて、硬質炭素被膜103は、シリコン(Si)が添加されている。 - 特許庁
For the frame, silicon (Si) is preferably used in addition to glass, ceramics, and resin.例文帳に追加
枠部は、ガラス、セラミック、樹脂の他、シリコン(Si)が好適に用いられる。 - 特許庁
To provide a silicon single crystal pulling device and a method for producing a silicon single crystal using the pulling device, which prevents variation in addition amount of a dopant due to sublimation of the dopant during addition or flipping on a liquid surface of a silicon melt, prevents blow-off of the silicon melt upon blowing a gas to the silicon melt, and allows addition of a dopant even during growing a silicon single crystal.例文帳に追加
ドーパントの添加途中での昇華やシリコン融液の液面上での飛び跳ねによるドーパントの添加具合のばらつき及びガスをシリコン融液に吹き付けた際のシリコン融液の吹き飛びを防止し、かつ、シリコン単結晶の育成中であってもドーパントを添加することが可能なシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の製造方法の提供。 - 特許庁
In addition, a high hydrogen containing layer is preferably provided on a boundary between the silicon layer containing the carbon and the single crystal or polycrystal silicon layer.例文帳に追加
また、炭素を含むシリコン層の単結晶または多結晶シリコン層との界面に高水素含有層を備えることが好ましい。 - 特許庁
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「silicon addition」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 235件
An electric resistivity of the each scrap silicon is also measured, and a concentration of the addition element contained in the scrap silicon is estimated based on a measured result therein.例文帳に追加
また、各スクラップシリコンの電気抵抗率を測定し、その測定結果からスクラップシリコンに含まれる添加元素の濃度を推定する。 - 特許庁
In addition, at the same time, a well layer of impurities different from the type of impurities of the substrate is formed on a silicon substrate on the lower part of the polycrystalline silicon film.例文帳に追加
またあわせて、多結晶シリコン膜下部のシリコン基板に、基板の不純物型と異なる不純物のウエル層を形成する。 - 特許庁
In addition, the silicon photoelement is manufactured by the above manufacturing method, and a device for image input and/or output adopts the silicon photoelement.例文帳に追加
そして、シリコン光素子はこの製造方法により製造され、画像入力及び/または出力装置は、このシリコン光素子を採用している。 - 特許庁
To provide a method for pulling up a silicon single crystal which improves an addition efficiency of a dopant and can suppress the variation in the addition amount.例文帳に追加
ドーパントの添加効率を向上させ、さらに添加量ばらつきも抑えることができるシリコン単結晶引上方法を提供する。 - 特許庁
When the insulating film 3 is composed of the silicon nitride film, in addition, a metal chloride can be used.例文帳に追加
また、下層絶縁膜3がシリコン酸窒化膜であれば、金属塩化物を用いることができる。 - 特許庁
In addition, a recess 20 is formed on the silicon substrate 1 beneath the wiring section 4.例文帳に追加
また、配線部4の下のシリコン基板1上には、凹部20が形成されている。 - 特許庁
In addition, the MIS transistor is formed on the (1,1,-2,0) face of hexagonal or rhombohedral silicon carbide.例文帳に追加
また、トランジスタは六方晶あるいは菱面体晶炭化珪素の(1,1,-2,0)面の上に形成する。 - 特許庁
(wherein, t is sheet thickness of steel strip (m); w is sheet width of steel strip (m); and S is the rate of silicon addition (wt.%/min)).例文帳に追加
S≦4.58×10^5×t^1.56/(W^2.64) t:鋼帯板厚(m)、w:鋼帯板幅(m)、S:けい素添加速度(wt%/min) - 特許庁
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